采用最新的CSTBT硅片技術,與H系列產品外觀相同：低飽和壓降Vce(sat)；低開通損耗Eon；低關斷損耗Eoff,高短路承受力（不需要RTC）,降低柵極電容，柵極驅動功率接近平板型IGBT,最好的熱阻性能， T(j-f)比競爭對手好一個等級,采用傳統的與H系列兼容的 Rth(j-c) 和Rth(c-f)定義,封裝全系列與H系列產品兼容,適用于：通用變頻器、交流伺服、風力發電、太陽能發電、恒壓恒頻等設備
CM150DY-12NF       150A/600V/2U
CM200DY-12NF       200A/600V/2U
CM300DY-12NF       300A/600V/2U
CM100DY-24NF      100A/1200V/2U
CM150DY-24NF      150A/1200V/2U
CM200DY-24NF      200A/1200V/2U
CM300DY-24NF      300A/1200V/2U