高性能RISC CPU：

• 僅需學(xué)習(xí)33 條單字指令

• 除了程序轉(zhuǎn)移指令，所有指令都是單周期指令；程序轉(zhuǎn)移指令是雙周期指令

• 2層深硬件堆棧

• 數(shù)據(jù)和指令采用直接、間接和相對(duì)尋址模式

• 工作速度：

- DC－ 20 MHz 晶振

- DC－ 200 ns 指令周期

• 片上閃存程序存儲(chǔ)器- 1024 x 12

• 通用寄存器（SRAM）- 67 x 8

• 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器- 64 x 8

單片機(jī)特性：

• 8MHz高精度內(nèi)部振蕩器- 出廠(chǎng)時(shí)精度已校準(zhǔn)到±1%

• 在線(xiàn)串行編程（In-Circuit Serial Programming™， ICSP™）

• 在線(xiàn)調(diào)試（In-Circuit Debugging， ICD）支持

• 上電復(fù)位（Power-On Reset， POR）

• 器件復(fù)位定時(shí)器（Device Reset Timer， DRT）

• 看門(mén)狗定時(shí)器（Watchdog Timer， WDT），帶專(zhuān)

用的片上RC 振蕩器以便可靠地工作

• 可編程代碼保護(hù)

• 復(fù)用的MCLR 輸入引腳

• I/O引腳具有內(nèi)部弱上拉功能

• 節(jié)能休眠模式

• 在引腳電平變化時(shí)從休眠中喚醒

• 可供選擇的振蕩器選項(xiàng)：

- INTRC：4 MHz 或8 MHz 高精度內(nèi)部RC 振蕩器

- EXTRC：外部低成本RC 振蕩器

- XT： 標(biāo)準(zhǔn)晶振/ 諧振器

- HS： 高速晶振/ 諧振器

- LP： 節(jié)能低頻晶振

- EC： 高速外部時(shí)鐘輸入

低功耗特性/CMOS 技術(shù)：

• 待機(jī)電流：- 2.0V時(shí)典型值為100 nA

• 工作電流：

- 32kHz、2.0V 時(shí)典型值為15 μA

- 4MHz、2.0V 時(shí)典型值為170 μA

• 看門(mén)狗定時(shí)器電流：

- 2.0V時(shí)典型值為1 μA

- 5.0V時(shí)典型值為7 μA

• 高耐久性程序和閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器單元

- 程序存儲(chǔ)器耐寫(xiě)次數(shù)達(dá)100,000 次

- 閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器耐寫(xiě)次數(shù)達(dá)1,000,000 次

- 程序和閃存數(shù)據(jù)保存時(shí)間：> 40 年

• 全靜態(tài)設(shè)計(jì)

• 寬工作電壓范圍：2.0V 至5.5V

- 寬溫度范圍- 工業(yè)級(jí)：-40°C 至+85°C

外設(shè)特性：

• 12個(gè)I/O 引腳

- 11個(gè)可單獨(dú)進(jìn)行方向控制的I/O 引腳

- 1個(gè)僅用作輸入的引腳

- 高灌/ 拉電流能力，可直接驅(qū)動(dòng)LED

- 電平變化時(shí)喚醒

- 弱上拉

• 帶有8 位可編程預(yù)分頻器的8 位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/ 計(jì)數(shù)器（TMR0）

• 2個(gè)模擬比較器

- 可從外部訪(fǎng)問(wèn)比較器輸入和輸出

- 1個(gè)比較器，具有0.6V 固定片上絕對(duì)參考電壓（VREF）

- 1個(gè)比較器，具有可編程片上參考電壓（VREF）

• 模數(shù)（Analog-to-Digital， A/D）轉(zhuǎn)換器

- 8位分辨率- 3通道外部可編程輸入- 1通道內(nèi)部輸入連接到內(nèi)部0.6V 參考電壓