C32 IGBT緩沖吸收電容器
所屬類(lèi)別：電源配套分類(lèi)>>電子元件
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更新時(shí)間：2013-4-19 18:00:39
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型號(hào) |
規(guī)格 |
價(jià)格(元) |
尺寸（mm) |
引出 |
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C32 |
1.0vF/1200V |
9 |
Φ27.5*L44 |
d=1.2 |
價(jià)格僅供參考，以報(bào)價(jià)單為準(zhǔn)。
主要應(yīng)用/Application
廣泛應(yīng)用于UPS、逆變器、感應(yīng)加熱、電焊機(jī)等設(shè)備的IGBT模塊吸收保護(hù)。
Widely used in UPS，inverter，induction heaters，welding machine for IGBT snubber protection.
產(chǎn)品特點(diǎn)/Characteristics
電介質(zhì)：聚丙烯薄膜
結(jié)構(gòu)：雙面金屬化與金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)
封裝：阻燃邁拉膠帶，阻燃（94V-0級(jí)）環(huán)氧封裝
引出：鍍錫銅線(xiàn)
能承受高脈沖電流，高dv/dt，ESL,ESR小，具有自愈性
Dielectric：Polypropylene film
Construction：Extended double side metalized carrier film with internal series connection and metalized film
Coating：Polyester tape wrapping with resin sealing.
Flame retardant execution（UL94V-0）
Terminals：Tinned copper lugs
High pulse current，high dv/dt, Low ESL and ESR, Self healing
技術(shù)性能/Specifications
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引用標(biāo)準(zhǔn)/Reference standards |
GB/T 17702 IEC 61071 |
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工作溫度范圍/Operating temperature range |
-40℃～85℃ |
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容量范圍/Capacitance |
0.022μF～5.6μF |
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額定電壓/Rated Voltage |
700Vdc～3000Vdc |
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容量偏差/Tolerance |
±5% ±10% |
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極間耐電壓/Test voltage between terminals |
1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃ |
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極殼耐電壓/Test voltage between terminals and case |
3000V 50Hz 60s，25℃±5℃ |
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損耗角正切/Dissipation factor |
tgδ≤6×10-4 at 25℃±5℃，1kHz |
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絕緣電阻/Insulation resistance |
C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s |
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預(yù)期壽命/Life expectancy |
200000h at Ur and 70℃ |
此產(chǎn)品關(guān)鍵字：
IGBT吸收電容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收電容廠(chǎng)家、IGBT吸收電容價(jià)格
華裕電容-高品質(zhì)金屬化薄膜電容專(zhuān)業(yè)制造商
企業(yè)產(chǎn)品庫(kù)
