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JFET：利用外加電場(chǎng)來控制半導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)效應(yīng)。通過改變PN結(jié)耗盡層的寬度，改變導(dǎo)電溝道的寬窄來控制輸出電流。
MOSFET：利用外加電場(chǎng)來控制半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)。通過改變感生溝道的寬窄來控制輸出電流。
耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別
耗盡型：場(chǎng)效應(yīng)管沒有外加?xùn)艠O電壓時(shí)，已存在導(dǎo)電溝道。
增強(qiáng)型：場(chǎng)效應(yīng)管在外加?xùn)艠O電壓超過一定時(shí)，才有導(dǎo)電溝道。


MOS管：區(qū)別于三極管的電流控制，MOS管的控制端是電壓信號(hào)，很小的
功率就可以驅(qū)動(dòng)，導(dǎo)通損耗也比三級(jí)管小，開關(guān)速度更好，可以過
幾十兆的信號(hào)，信號(hào)噪聲影響比較小，是目前市場(chǎng)的主流。