射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度測(cè)試系統(tǒng)GTEM室
所屬類別：電源配套分類>>電磁兼容
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更新時(shí)間：2011/9/1 10:38:55
GTEM室（吉赫芝橫電磁波室）是近年來(lái)國(guó)際電磁兼容領(lǐng)域發(fā)展的一項(xiàng)新技術(shù)。GTEM室有五個(gè)主要特點(diǎn)：①擁有與TEM室的低頻段和射頻電波暗室同樣優(yōu)越的頻率特性。②極高的性價(jià)比。③系統(tǒng)安裝可拆卸，安裝場(chǎng)地不受限制，可在短時(shí)間內(nèi)安裝就緒。④優(yōu)異的頻率特性，適合進(jìn)行電磁脈沖發(fā)射的抗擾度試驗(yàn)。⑤由于測(cè)試環(huán)境有良好的重復(fù)性，試驗(yàn)結(jié)果更加可靠、有效。
GTEM室的射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度測(cè)試系統(tǒng)符合IEC61000-4-3和GB/T17626.3標(biāo)準(zhǔn)的要求。
值得一提的是，上海易湃科電磁技術(shù)有限公司更提供基于該測(cè)試系統(tǒng)基礎(chǔ)上的發(fā)射限值測(cè)試升級(jí)系統(tǒng)。
GTEM室射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖
原理說(shuō)明
P為輸入功率（W） R為阻抗（50Ω） h為導(dǎo)體高度（底板到芯板的高度） V為輸入電壓 D為系數(shù)，電纜等損耗為1dB時(shí)，D＝0.891 3dB時(shí)，D＝0.708 若P＝4W，h＝1m，D＝0.708，則E＝10V/m 可見(jiàn)，用GTEM室做EMS測(cè)試時(shí)得到的場(chǎng)強(qiáng)比天線法采用同樣大小的放大器時(shí)得到的場(chǎng)強(qiáng)要大得多，因此這個(gè)系統(tǒng)有較高的性能價(jià)格比，為企業(yè)開(kāi)展小型產(chǎn)品EMS測(cè)試的首選方案。
電場(chǎng)強(qiáng)度相對(duì)于射頻輸入功率的表達(dá)式為
E＝V/h＝(PR)1/2/h
在實(shí)際選用放大器時(shí)，還應(yīng)當(dāng)考慮電纜和其他損耗
E＝V/h＝D(PR)1/2/h
這里，E為電場(chǎng)強(qiáng)度（V/m）
企業(yè)產(chǎn)品庫(kù)
