香港威柏電子(Westpac Electronics)創(chuàng)辦於1992年，為日本富士電機(jī)(FUJI ELECTRIC)半導(dǎo)體器件之中國及香港地區(qū)獨家代理。
主要產(chǎn)品為富士電機(jī)IGBT模塊，富士電機(jī)IPM模塊，富士電機(jī)PIM功率集成模塊，富士電機(jī)分立IGBT,富士智能功率模塊等。

富士電機(jī)簡介：

富士電機(jī)早在1923年成立以來，一直致力于技術(shù)革新和挑戰(zhàn)，為顧客提供高質(zhì)量的服務(wù)。
富士電機(jī)集團(tuán)是“向客戶提供最大滿足的企業(yè)”的代名詞。不斷向具有獨創(chuàng)性的技術(shù)革新挑戰(zhàn),為客戶竭誠服務(wù)。
FUJI ELECTRIC富士電機(jī)發(fā)揮創(chuàng)業(yè)以來積累的“自由操控電力”的電力電子技術(shù)優(yōu)勢，成為“環(huán)境，能源”領(lǐng)域舉足輕重的國際企業(yè)。
FUJI ELECTRIC富士電機(jī)研發(fā)制造高品質(zhì)電力電子功率半導(dǎo)體IGBT/IPM，為太陽能發(fā)電，風(fēng)力發(fā)電，智能電網(wǎng)，工業(yè)自動化變頻伺服，鐵路機(jī)車，電動汽車等提供核心功率器件，為高效化和節(jié)能做貢獻(xiàn)！

Westpac威柏：富士IGBT模塊中國一級代理 富士IGBT一級代理商 富士IGBT一級代理 富士IGBT中國代理商 富士IGBT代理商 富士IPM代理商 富士IGBT模塊代理 FUJI IGBT module distributor
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威柏針對工業(yè)電力電子領(lǐng)域以FUJI ELECTRIC富士電機(jī)IGBT模塊（包括富士IPM模塊、富士PIM模塊、富士IGBT驅(qū)動IC）為核心，配合國際知名品牌功率器件：晶閘管SCR、電力MOSFET、MOSFET模塊，電力二極管、二極管模塊、單相整流橋、叁相整流橋等。Westpac威柏同時可以為客戶提供IGBT驅(qū)動方案及配套單片機(jī)MCU、DSP、高速光耦、隔離光耦、電源IC、DC-LINK母線平波鋁電解電容及薄膜電容、IGBT突波吸收電容等元件。業(yè)務(wù)遍及通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅(qū)動器 、UPS、變頻與傳動、電動汽車、電力系統(tǒng)SVG無功補償裝置UPS逆變器/UPS/EPS、風(fēng)電變流器、變頻空調(diào)、光伏變流、機(jī)車主牽引變流器、電梯變頻器 、逆變焊機(jī) 、 感應(yīng)加熱、電源電鍍/電解電源 、有源濾波APF/無功補償、機(jī)車輔助逆變器；Westpac威柏在逆變焊機(jī)、不間斷電源UPS、Inverter變頻器、數(shù)控伺服、電動汽車、風(fēng)力太陽能發(fā)電等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！

Fuji Electric has developed hybrid modules that combine Si-IGBT (silicon-insulated gate bipolar transistor) and SiC-SBD (silicon carbide-
Schottky barrier diode)  for high-efficiency inverter applications that contribute to energy savings. The SiC-SBD chip was developed jointly
with the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, a public research institute, and the Si-IGBT chips are the latest
6th-generation  “V-Series”  IGBTs from Fuji Electric. The product lineup are 600V class rated at 50/75/100A, and 1,200V class rated at
35/50A. Loss in the 1,200V 50A class has been reduced by 23% compared to the previous model.
 Fuji Electric 富士電機(jī)開發(fā)出 混合功率模塊包含Si-IGBT (silicon-insulated gate bipolar transistor) and SiC-SBD (silicon carbide-
Schottky barrier diode)，為變頻的高效化與節(jié)能做出貢獻(xiàn). SiC-SBD碳化硅肖特基二極管是富士電機(jī)聯(lián)合日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所合作開發(fā)。Si-IGBT 芯片則是富士電機(jī)最新的V系列IGBT. 目前產(chǎn)品線覆蓋 600V class電流在 50/75/100A, 及1,200V class rated at 35/50A. 其中1200V/50A的模塊與以前的模塊比損耗降低23%。

富士電機(jī)碳化硅肖特基SiC-SBD作為續(xù)流二極管的混合IGBT.
(富士SiC FWD+富士V-IGBT)

定格電圧（V） 定格電流（A） ハイブリッドモジュール型式
600
50 7MBR50VB060S-50
75 7MBR75VB060S-50
100 7MBR100VB060S-50
1,200
25 7MBR25VB120S-50*
35 7MBR35VB120S-50
50 7MBR50VB120S-50