2021年9月23日，北京訊——德州儀器（TI）（納斯達克代碼TXN）今宣布其氮化鎵（GaN）技術和C2000™實時微控制器（MCU），輔以臺達（Delta Electronics）長期耕耘之電力電子核心技術，為數據中心開發設計高效、高功率的企業用服務器電源供應器（PSU）。與使用傳統架構的企業服務器電源供應器相比，臺達研發的服務器電源供應器將功率密度提高了80%，效率提升1%。能源政策機構Energy Innovation1數據顯示，效率每提升1%，相當于每個數據中心節省了1兆瓦（或800戶家庭用電）的總所有成本。

　　臺達為全球客戶提供電源管理與散熱解決方案，同時也是AC-DC、DC-DC與DC-AC電源系統的領導廠商，產品應用范圍廣泛，包括IT設備、電動車充電與工業電源等。TI在GaN技術以及C2000™MCU實時控制解決方案上長達十年的投資有目共睹，是臺達長期合作的重要伙伴。此次TI采用創新的半導體制造工藝來制造硅基氮化鎵和集成電路，助力臺達等企業打造差異化應用，更高效地為世界各地的數據中心供電。

　　“在TI，我們致力于通過半導體技術讓電子產品更經濟實用，讓世界更美好，并且我們的GaN技術為更高效、更小、更可靠的全新解決方案的誕生帶來更多可能，”TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示，“除了技術投資外，TI在內部制造方面的投資能夠快速普及GaN等新技術，并為臺達等客戶提供支持。”

　　“臺達長期致力于通過高效能產品和解決方案，與伙伴及客戶密切合作，以降低碳足跡。這也促使我們與TI這樣的行業領軍企業開展長期合作，持續進行新一代技術的開發、應用。GaN技術已突破門坎，從人們口中的未來科技落地，成為當今電源系統設計中切實可行的一個選擇。”臺達電源與系統事業群副總裁暨總經理Jimmy Yiin說，“通過引入新技術，我們希望為服務器的電源供應器實現超過98%的效率，功率密度超過100瓦/立方英寸。GaN技術將變革現有的電源設計和架構，未來幾年電源方案和產品的發展令人期待，臺達也將善用新技術，進一步強化我們作為數據中心和其他電源解決方案的領先供應商地位。”

　　集成的GaN芯片提供更高的效率、功率密度和系統可靠性

　　在高電壓、高功率工業應用中，TI的GaN FET集成了快速開關驅動器，以及內部保護和溫度感測功能，能夠更好地在有限的電路板空間內實現高性能。

　　芯片通過4000萬小時以上的設備可靠性測試和超過5 GWh的功率轉換測試，可提供嚴謹可靠的數據，并可透過GaN構建更小、更輕、更高效的電源系統。

　　TI的GaN電源解決方案同C2000™實時MCU相結合，可提供復雜的時延敏感處理、精確控制及軟件與外設的可擴展性等眾多優勢。此外，這些MCU可支持不同的電源拓撲設計和高開關頻率，更大限度提升電源效率，充分發揮基于GaN的服務器供電單元的潛力。

　　制造和長期投資戰略確保靈活供應

　　TI獨特的工藝、封裝和電路設計技術組合簡化了生產，企業能夠通過配置不同的選項來擴大硅基氮化鎵的產量，以應對電信、工業和汽車企業不斷變化的需求。

　　TI自有的GaN外延和組裝/測試能力，使企業能夠按需求靈活解決工具冗余問題。

　　隨著市場需求的增加，體積更小且需要支持更多數據的系統已經成為趨勢，TI的長期投資和靈活的制造戰略，將使其成為領先的GaN和實時MCU供應商。

　　TI和臺達將于2021年9月27日至29日的TI Live!Tech Exchange共同舉辦主題為《GaN技術的影響及其對未來工業設計的意義》的在線技術交流研討會。屆時，TI專家將通過一系列主題演講、論壇、技術會議和產品演示，討論電源管理、汽車、實時控制、視覺傳感和設計趨勢等內容。欲了解更多信息，請訪問ti.com/techexchange。