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　　根據《日本經濟新聞》7日報導，第三代半導體碳化硅（SiC）的專利競爭激烈，相關專利數量最多的前五名都是來自美國、日本的大企業。

　　其中第一名是美國科銳（Cree），接下來是日本羅姆（Rohm）、住友電工、三菱電機和Denso。

　　圖片來自：日本經濟新聞​

　　日本經濟新聞報道稱，根據從事專利分析的日本Patent Result所整理出的數據，在與第三代半導體碳化硅有關的專利方面，美國Cree所持有的專利數量最多，二到四名則全部被日本企業包辦。

　　Patent Result的計算方式是基于2021年7月29日為止的美國已發行專利數量，再把數量及矚目程度轉換成分數來算出得分。

　　碳化硅可取代以往半導體材料的硅利光（Silicone），特別是在功率半導體等用途上，可提升性能、也有利節能。目前碳化硅已普遍使用在電動車和太陽光電系統的變頻器上頭，用途也愈來愈廣。還有在脫碳潮流的發展之下，碳化硅的應用也備受矚目。

　　按照Patent Result的分析，第一名Cree的強項是在碳化硅基板和磊晶領域，第二名和第五名的羅姆和Denso的專長是在電力損失的降低方面，第三名的住友電工擅長于碳化硅的結晶結構，第四名的三菱電機則在半導體裝置的構造方面擁有強項。