CMOS影像感測器前景看好 DRAM廠全力卡位

　　CMOS影像感測器市場前景看好，DRAM大廠頻藉DRAM大量生產技術卡位，根據三星等業者技術藍圖，目前二百萬畫素CMOS影像感測器制程，已于第四季開始微縮至○．一三微米，預計明年第四季再微縮至九○奈米。雖然市場認為CMOS影像感測器微縮至奈米制程世代難度太高不易成功，但光是以○．一三微米卡位市場，供過于求壓力就會讓明年價格處于跌勢，并迫使后段封測廠調降代工價。

　　CMOS影像感測器以低成本優勢成功打入手機市場，擠下CCD（電荷耦合）影像感測器成為照相手機主要應用產品后，今年CMOS影像感測器市場開始有了較明顯的成長，市調機構iSuppli認為，手機內建數位相機的應用，將推動CMOS影像感測器于二○○六年成為市場主流，當然成功以DRAM低漏電制程生產制程的DRAM大廠如三星、美光、及由Hynix切割出來的非記憶體半導體廠MagnaChip，也開始全力投產卡位，并在今年第四季開始進行制程微縮工程。

　　今年美光主要是以○．一五微米生產CMOS影像感測器，三星、MagnaChip主要制程仍以○．一八微米為主，第四季后業者開始進行制程微縮，以三星、MagnaChip的技術藍圖來看，目前已經開始以○．一三微米開始投片生產二百萬畫素CMOS影像感測器，而較令市場感到驚訝部份，則是二家業者將于明年第四季將CMOS影像感測器制程再微縮至九○奈米。

　　雖然業界認為CMOS影像感測器制程微縮至奈米級后不易成功，但對于擅于利用大量生產經競規模優勢降低單位成本的DRAM廠，以○．一三微米以下制程積極投入感到憂心。業者認為，對DRAM廠來說，只要市場價格高于生產成本，因為出貨數量大，都會有不錯的獲利，但供過于求壓力卻會因此升高，造成價格快速下跌，如同今年NAND快閃記憶體市況一般，對在晶圓代工廠投片的感測器供應商來說，很容易被DRAM廠壓迫而退出市場。

　　而DRAM廠不斷壓低CMOS影像感測器價格，也開始影響到后段封測廠代工價。據了解，CMOS影像感測器封測產能今年擴充量能其實不太大，但因提高產能的DRAM廠商，大部份封測業務仍在自有廠內處理，僅小部份釋出委外，所以主要委外代工的IC設計業者，面對價格不斷下跌壓力，已開始要求后段封測廠降價，第四季測試合約價已跌一成，預估明年仍會繼續降價。