IR60V DirectFET功率最大導通電阻7.0mΩ

　　國際整流器公司(International Rectifier，簡稱為IR)近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET－IRF6648。該器件的最大導通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V)，據(jù)稱導電損耗可比同類解決方案減少30%。

　　單個采用SO-8封裝的IRF6648，其性能與兩個并聯(lián)的同類增強型SO-8器件相似。IRF6648適用于電信及網(wǎng)絡系統(tǒng)的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。該器件的封裝技術(shù)具有的良好散熱設計和雙面冷卻能力。如果將IRF6648用于48V輸入、12V輸出的240W隔離式轉(zhuǎn)換器的次級，功率密度可由每平方英寸72W增加15%。

　　IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富指出：“我們擴展了中壓DirectFET MOSFET產(chǎn)品系列，這使得電源設計人員可以有更多的器件選擇去改善隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級和次級插槽的性能。IRF6648是一種多功能器件，可用于36V到75V輸入的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的次級同步整流插槽、初級半橋及全橋隔離式DC-DC總線轉(zhuǎn)換器、24V輸入初級正向有源箝位電路和48V輸出AC-DC有源ORing系統(tǒng)。”

　　IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利，它集中了標準塑料分立封裝所不具備的一系列設計優(yōu)點。其中的金屬罐構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能，使降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加了一倍。另外，DirectFET封裝的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令(RoHS)的要求。