安森美低壓Trench MOSFET導通電阻低至150mΩ

　　安森美半導體(ON Semiconductor)日前推出八款新型N溝道和P溝道、低壓Trench MOSFET，以擴展其溝道技術器件系列。新器件為小信號、20V MOSFET，適用于-430mA至-950mA應用，如功率負載開關、電源轉換器電路和手機、數碼相機、PDA、尋呼機、媒體播放器，以及便攜式GPS系統中的電池管理等。

　　這些新型的低壓MOSFET采用安森美公司的Trench技術，增大了溝道長度和等效溝道密度，同時降低了漏極和源極之間的電阻(RDS(on))，其RDS(on)范圍介于150至900mΩ之間，因此可以導通更大電流。

　　安森美的這幾款Trench MOSFET提供三種小型超薄封裝選擇，尺寸為1.6mm×1.6mm，厚度為0.6mm至1.0mm，有助于節省板空間。該公司將齊納二極管集成入Trench MOSFET的門，以此提供良好的ESD保護。

　　這八款低壓Trench MOSFET器件中的NTA4151PT1、NTE4151PT1、NTZS3151PT1和NTZD3152PT1是用于850mA高端負載開關的P溝道MOSFET，提供單模式和雙模式；NTA4153NT1、NTE4153NT1和NTZD3154NT1是用于高達915mA低端負載開關的N溝道MOSFET，提供單模式和雙模式；NTZD3155CT1是互補N溝道和P溝道的組合，用于集成負載開關或小電流DC-DC轉換。

　　上述每個器件均提供三種薄型1.6×1.6mm封裝。6引腳高度為0.6mm的SOT-563和3引腳高度0.8mm的SC-89為扁平引腳封裝。3引腳高度為1.0mm的SC-75為鷗翼式器件。扁平引腳封裝與業內標準的鷗翼式封裝相比，具有額外的熱性能。新器件每10,000件的批量單價在0.10美元至0.12美元之間(僅供參考)。