安森美推出高度僅0.5mm的ESD抑制器件(圖)

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)公司推出μESD (微型ESD)雙串聯(lián)高性能微型封裝靜電放電(ESD)保護(hù)二極管。該器件專為電壓敏感元件提供雙線保護(hù)而設(shè)計(jì)，適于需要最小板面積和低高度的應(yīng)用，如手機(jī)、MP3播放器和便攜式游戲系統(tǒng)。

　　安森美半導(dǎo)體小信號部市場營銷主管Gary Straker介紹說：“對致力于滿足嚴(yán)格的ESD標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)人員而言，安森美半導(dǎo)體的μESD雙器件提供了替代常用多層可變電阻(MLV)的令人注目的方案。μESD雙器件可以在小于兩個0402 MLV的板面積內(nèi)保護(hù)兩條線路，同時(shí)具有多種性能優(yōu)勢，包括鉗制電壓較低、漏電較少、響應(yīng)時(shí)間較短，且能夠承受多次ESD沖擊，而在電氣性能上無偏移。”

　　這些器件設(shè)計(jì)采用目前市場上最小的3引腳塑料封裝來獲取最佳的ESD抑制性能。μESD雙串聯(lián)可在不足一納秒內(nèi)鉗制30kV ESD瞬流(符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn))，確保電壓敏感元件受到保護(hù)。這些器件可將ESD脈沖電壓鉗制至低于7V，以保護(hù)最敏感的系統(tǒng)并減小對電路功能的干擾。

　　μESD雙串聯(lián)系列的另一特性在于采用超小的SOT-723封裝。由于其外形尺寸僅為1.2×1.2mm，因此適合于板面積受限的設(shè)計(jì)。由于此封裝的高度僅有0.5mm，設(shè)計(jì)人員因此能夠在不影響功能的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)高度的最小化。這種串聯(lián)將雙線保護(hù)集成入一個封裝中，可以進(jìn)一步減小所需的板面積和系統(tǒng)元件數(shù)量，從而簡化了封裝工藝。這些新型ESD保護(hù)器件關(guān)斷狀態(tài)的漏電電流僅為0.05μA，非常適于手持式產(chǎn)品應(yīng)用。它們的電容僅為35pF，適于為數(shù)據(jù)速率高達(dá)10Mb/s的數(shù)據(jù)線提供保護(hù)。