國際整流器公司推出新款20V DirectFET MOSFET同步降壓轉換器芯片組

　　國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出新款20V DirectFET MOSFET同步降壓轉換器芯片組——IRF6610和IRF6636。IR表示，這款小型罐式DirectFET MOSFET對性能相當于一對SO-8 MOSFET，但體積卻減少了40%，最適用于對尺寸、效率和熱性能有重大要求的高頻負載點(Point-of-load，簡稱POL)設計。

　　IR臺灣分公司總經理朱文義表示：“在12V計算機運算系統中，IRF6610和IRF6636芯片組最適用于可支持5V至1V以下輸出電壓的高密度15A POL轉換器。以一個500kHz POL轉換器為例，若采用這款芯片組，便能在1.5V下提供15A輸出電流，實現大于88%的效率。”

　　IRF6610的閘電荷(gate charge)低至10nC，可將開關損耗減至最低，實現最佳控制場效應管(FET)功能。IRF6636則是一款多功能的DirectFET功率MOSFET，其導通電阻為4.5mΩ，閘電荷低至18nC。它可耦合IRF6610，成為專門針對15A應用的同步場效應管；又可配合IRF6691組成控制場效應管，適用于每相位35A的多相位應用。IRF6636/IRF6691芯片能在POL模塊等應用中提供更高密度，取代多達4個熱強化型SO-8 MOSFET器件。

　　該公司表示，IR的專利DirectFET MOSFET封裝包含了一系列新的設計優點，這是目前標準的塑料分立封裝所不具備的。其中，金屬罐狀結構可提供雙面冷卻，將驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力提高1倍。此外，DirectFET封裝內的器件均符合“電子產品有害物質限制指令”(RoHS)。