安森美半導(dǎo)體新型ESD抑制器件采用低高度封裝，超越便攜式產(chǎn)品行業(yè)最嚴(yán)格的ESD保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)(圖)

　　2005年8月5日– 作為全球領(lǐng)先的分立器件供應(yīng)商，安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）推出 µESD （微型ESD） 雙串聯(lián)高性能微型封裝靜電放電（ESD）保護(hù)二極管。µESD雙串聯(lián)系列產(chǎn)品專為為電壓敏感元件提供雙線保護(hù)而設(shè)計(jì)，適于需要最小板面積和低高度的應(yīng)用，如手機(jī)、MP3播放器和便攜式游戲系統(tǒng)。

　　安森美半導(dǎo)體小信號(hào)部市場(chǎng)營(yíng)銷主管Gary Straker表示，“對(duì)致力于滿足嚴(yán)格的ESD標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)人員而言，安森美半導(dǎo)體的µESD雙器件提供了替代常用多層可變電阻(MLV)的令人注目的方案。µESD雙器件可以在小于兩個(gè)0402 MLV的板面積內(nèi)保護(hù)兩條線路，同時(shí)具有多種性能優(yōu)勢(shì)，包括鉗制電壓較低、漏電較少、響應(yīng)時(shí)間較短，且能夠承受多次ESD沖擊，而在電氣性能上無(wú)偏移。”

　　這些器件設(shè)計(jì)采用目前市場(chǎng)上最小的3引腳塑料封裝來(lái)獲取最佳的ESD抑制性能。µESD雙串聯(lián)可在不足一納秒內(nèi)鉗制30千伏（kV）ESD瞬流（符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)），確保電壓敏感元件受到保護(hù)。這些器件可將ESD脈沖電壓鉗制至低于7伏特（V），以保護(hù)最敏感的系統(tǒng)并減小對(duì)電路功能的干擾。

　　µESD雙串聯(lián)系列的另一特性在于采用超小的SOT-723 封裝。由于其外形尺寸僅為1.2 mm x 1.2 mm，因此對(duì)板面積受限的設(shè)計(jì)人員而言是理想的選擇。由于此封裝的高度僅有0.5 mm，設(shè)計(jì)人員因此能夠在不影響功能的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)高度的最小化。這種串聯(lián)將雙線保護(hù)集成入一個(gè)封裝中，可以進(jìn)一步減小所需的板面積和系統(tǒng)元件數(shù)量，從而簡(jiǎn)化了封裝工藝。

　　這些新型ESD保護(hù)器件關(guān)斷狀態(tài)的漏電電流超低，僅為0.05 毫安（µA），提高電路效率和電池使用壽命，非常適于手持式產(chǎn)品應(yīng)用。它們的電容較小，僅為35 皮法（pF），適于為數(shù)據(jù)速率高達(dá)10 Mb/s的數(shù)據(jù)線提供保護(hù)。

　　安森美半導(dǎo)體小信號(hào)部總經(jīng)理Mamoon Rashid說(shuō)，“由于便攜式電子應(yīng)用的用戶接口數(shù)量增加，而尺寸減小，因而它們?cè)絹?lái)越容易受到偶然ESD損害的影響。µESD雙串聯(lián)系列產(chǎn)品是安森美半導(dǎo)體與日增長(zhǎng)的器件系列中的新成員，專為鉗制 ESD 瞬流而設(shè)計(jì)。安森美半導(dǎo)體通過(guò)先進(jìn)的硅設(shè)計(jì)，并致力于推動(dòng)封裝外殼發(fā)展，公司將持續(xù)為這一具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)發(fā)高性能的解決方案。”