ST推出采用90nm工藝技術的128Mb NAND閃存器件(圖)

　　意法半導體公司(ST)推出采用90nm工藝技術的128Mb NAND閃存器件——NAND128W3A2BN6E。90nm技術降低了閃存芯片的成本和功耗。這些閃存廣泛應用于如數碼相機、錄音機、PDA、機頂盒(STB)、打印機和各種閃存卡等消費類電子產品。據介紹，NAND128是目前市場上唯一采用90nm工藝技術的128Mb閃存。

　　NAND128具有超快的數據吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址線和數據輸入/輸出信號在8位總線上復接，降低了引腳數量，允許使用標準組件的NAND接口，使制造商能生產更高(或更低)容量的產品，而不用改變占位面積。

　　該公司提供的軟件工具鏈有助于加快產品開發速度，并延長存儲器芯片的使用時間。工具包括誤差修正碼(ECC)軟件；用來識別和替代區塊的壞區塊管理(BBM)(在擦除或編程操作時，通過將數據復制到正確區塊實現)；通過在所有區塊分配“擦除和程序”(Erase and Program)操作的Wear Leveling算法，以優化器件的使用年限；文件系統OS參考軟件，以及硬件仿真模型。

　　此存儲器有1024個名義上16KB區塊，每個能分成512B的頁，每頁有16個空余字節(B)，它能按頁來讀取和編程。空余字節可用作誤差修正碼(ECC)、軟件標識或壞區塊識別。“復制后程序”(Copy Back Program)模式使得存儲在一頁的數據能直接編程到另外一頁，而不需要外部緩沖，這種特性典型用來轉移數據。如果頁編程由于有缺陷區塊而操作失敗時，還提供區塊指令，區塊擦除時間2ms。每個區塊有10萬次編程和擦除，以及10年數據保存期。

　　該器件具備“Chip Enable Don't Care”特性，簡化了微控制器接口，并且使NAND閃存與其它類型存儲器(如NOR閃存和SRAM)混合使用時更有效率。該器件出廠時標記唯一識別碼，用戶可編程序號增加了目標應用的安全性。

　　NAND128W3A2BN6E的工作溫度范圍為-40℃至85℃，它采用無鉛TSOP48封裝，現可批量供貨，單片價格范圍為4至4.5美元(僅供參考)。