飛兆半導體推出低壓30/40V MOSFET產品系列

　　飛兆半導體公司推出11種新型器件，擴充了其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產品系列。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優化汽車應用的效率、性能和線路板空間而設計，其應用包括動力轉向、集成啟動器/交流發電機，以及電機和螺線管驅動器設計等。

　　飛兆半導體的30/40V MOSFET是要求高電流密度和低功耗系統的理想選擇，并根據汽車市場的最新發展趨勢，從機械方式進展為機電方式。飛兆公半導體的30/40V MOSFET的RDS(on)低至2.0m Ohms，是業界導通電阻最低的器件之一。除了性能方面的改善，這些器件還可節省線路板空間，因為一個飛兆半導體的低RDS(on) MOSFET可替代兩個在這些設計中傳統使用較高RDS(on)的MOSFET。而且，這些MOSFET能滿足UIS要求并達到嚴格的AEC-Q101汽車標準，可在嚴酷的電氣環境中提供高可靠性以保證其“堅固性”。

　　新型30V MOSFET如2.3m Ohm FDB8860 器件，提供的導通電阻僅為55V或60V MOSFET的一半，因此能降低功耗至高壓器件的二分之一，效率更高，熱量的產生更少。

　　這些無鉛器件能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。

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