英飛凌新一代MOSFET家族大幅提升節(jié)能性

　　英飛凌日前在2006年全球電源系統(tǒng)展會（Power Systems World 2006）上，發(fā)布應用于計算機、電信設備和消費電子產品的直流/直流變換器的新一代功率半導體產品家族。全新的OptiMOS® 3 ：30V N溝道MOSFET家族可使標準電源產品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉換指標上達到業(yè)界領先水平。

　　英飛凌設計出了專門用于提高低壓電源轉換器性能的OptiMOS 3產品家族。該產品家族與前一代產品相比，通常可使能源效率提高1%至1.3%。這種提升幅度看似不大，但從技術的角度講是很難實現的，它可以實現很大的節(jié)能量。如果全球1,200W服務器供電系統(tǒng)的能效都提高1%，全年即可節(jié)省約360兆瓦的電量，相當于一個傳統(tǒng)發(fā)電廠的發(fā)電量。

　　“OptiMOS3產品家族不僅能幫助電源設計者實現未來系統(tǒng)設計的功率要求，而且有助于節(jié)能。”英飛凌公司電源管理和供應業(yè)務部高級主管Andreas Urschitz指出，“能效提升，開關特性改善，功率密度更高，可靠性更強，這些不僅可以提高電源解決方案的性能和能效，還可以降低成本。”

　　借助OptiMOS3的出色特性，電源制造商只需利用較少的器件，即可獲得理想性能，使直流/直流轉換器通常所需的MOSFET數量降低33%。英飛凌還為該器件采用了全新的高性能Shrink SuperSO8(S3O8) 3mm X 3mm 封裝，這將使轉換器系統(tǒng)設計中所需的MOSFET板載空間減小60%。

　　除了可開發(fā)小型直流/直流轉換器之外，OptiMOS3器件還可用于提高給定標準尺寸的電源的輸出功率。此外，OptiMOS3還可延長筆記本電池的使用壽命，降低服務器和電信系統(tǒng)的能耗。

　　利用N溝道OptiMOS3工藝制造的器件具備業(yè)界最低的導通電阻（RDS（ON））、超低的門電荷以及其它使器件具備獨特性能的特性。例如采用SuperSO8封裝的OptiMOS 3 功率MOSFET最大額定導通電阻僅為1.6mΩ（毫歐），比最接近的同類器件約低30%。低導通電阻最大程度地減少了傳導損耗和導通功率消耗，提高了功率密度。

　　較低的門極電荷使得OptiMOS 3器件易于驅動，因此可以使用成本較低的驅動器。此外，優(yōu)值系數（FOM）的提高使得驅動器的負荷降低30%，大大降低了驅動器工作溫度，在400kHZ開關頻率條件下，與最出色的同類產品相比，降幅約達10攝氏度，從而降低了熱能消耗。

　　與業(yè)界領先的OptiMOS 2相比，全新的OptiMOS 3 在多個方面都實現了重大改進，包括導通電阻降低30%，優(yōu)值系數提高30%，同時與OptiMOS 2相比封裝（S308）尺寸減小了60%的情況下仍然可以提供類似的性能。

　　
上市與定價

　　全新的OptiMOS 3 30V功率MOSFET家族采用8種封裝形式，共有80多種器件，各種器件具備不同的導通電阻。目前，OptiMOS 3已批量供應。性能最為出色的BSC016N03LSG器件，導通電阻為1.6 mΩ，采用SuperSO8封裝。如果訂購數量達到萬件，單價不到1美元。采用S3O8封裝的3.5 mΩ器件的價格不到0.7美元。