Zetex Semiconductors近日推出一款可滿足前置偏壓電源電路需求的新型高壓MOSFET器件。
ZXMN0545G4是一款450V增強(qiáng)型N溝道器件，可用于簡(jiǎn)單的線性穩(wěn)壓器，在啟動(dòng)階段位為脈寬調(diào)制(PWM)集成電路提供所需電壓，然后在轉(zhuǎn)換器完全啟動(dòng)后關(guān)閉。與其他依賴電阻器的解決方案相比，這種基于MOSFET的解決方案有助于提升系統(tǒng)效率和縮短啟動(dòng)時(shí)間。
Zetex亞洲副總裁林博文先生指出，新型MOSFET采用獨(dú)特的四引腳SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓漏電性能。該器件采用嶄新的導(dǎo)線框架設(shè)計(jì)，只需從兩個(gè)常用的漏極引腳位置中切斷其中一個(gè)，便可以大大擴(kuò)展引腳間距，有助于設(shè)計(jì)人員滿足UL及CE漏電距離規(guī)范。
這款晶體管的導(dǎo)通電阻較低，還可以支持高達(dá)140mA的連續(xù)漏極電流和600mA的脈沖電流，具備了高效的功率處理能力。此外，該器件的切換速度較高，啟動(dòng)及上升時(shí)間設(shè)定為7ns。
ZXMN0545G4是一款450V增強(qiáng)型N溝道器件，可用于簡(jiǎn)單的線性穩(wěn)壓器，在啟動(dòng)階段位為脈寬調(diào)制(PWM)集成電路提供所需電壓，然后在轉(zhuǎn)換器完全啟動(dòng)后關(guān)閉。與其他依賴電阻器的解決方案相比，這種基于MOSFET的解決方案有助于提升系統(tǒng)效率和縮短啟動(dòng)時(shí)間。
Zetex亞洲副總裁林博文先生指出，新型MOSFET采用獨(dú)特的四引腳SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓漏電性能。該器件采用嶄新的導(dǎo)線框架設(shè)計(jì)，只需從兩個(gè)常用的漏極引腳位置中切斷其中一個(gè)，便可以大大擴(kuò)展引腳間距，有助于設(shè)計(jì)人員滿足UL及CE漏電距離規(guī)范。
這款晶體管的導(dǎo)通電阻較低，還可以支持高達(dá)140mA的連續(xù)漏極電流和600mA的脈沖電流，具備了高效的功率處理能力。此外，該器件的切換速度較高，啟動(dòng)及上升時(shí)間設(shè)定為7ns。
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本文鏈接：Zetex新型高壓MOSFET滿足電源
http:www.wnxrsj.cn/news/2006-2/200621785541.html
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