國(guó)際整流器公司(International Rectifier, IR)近日推出IR1167智能整流(Smart Rectifier)IC，適用于筆記本電腦、迷你PC、液晶和等離子電視、游戲機(jī)及其他數(shù)字計(jì)算和家庭娛樂(lè)系統(tǒng)中的AC-DC電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。該器件不僅能簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，還能提升大功率回掃和共振半橋轉(zhuǎn)換電路中的次級(jí)同步整流(SR)效率，使設(shè)計(jì)更小巧，散熱效果更佳。
IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富指出：“在100W到300W的回掃電路中，傳統(tǒng)的變壓器控制電路既復(fù)雜又笨重，還浪費(fèi)能量，因?yàn)镾R MOSFET的極性轉(zhuǎn)換感應(yīng)需要很高的反向電流。相比之下，IR智能整流IC憑借新的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和直接感測(cè)SR MOSFET的電壓門限值，實(shí)現(xiàn)了快速準(zhǔn)確的控制，使功耗降至最低。”嚴(yán)國(guó)富還補(bǔ)充道，“IR1167能提升1%的整體系統(tǒng)效率，減少M(fèi)OSFET溫升10度，并使得電路元件數(shù)減少為過(guò)去的1/4。”
據(jù)介紹，IR1167智能整流IC采用IR專有的HVIC技術(shù)，能夠與各種MOSFET柵極兼容，還可以直接連接IR各種30V至200V的SR MOSFET。在與具有優(yōu)化導(dǎo)通電阻及柵極電荷特性的IR MOSFET產(chǎn)品共同使用時(shí)，IR1167智能整流IC的優(yōu)勢(shì)將更加突出，具有這些特性的產(chǎn)品有：IRF7853、IRFB4110和IRFB4227等。這些優(yōu)化的MOSFET能與IR1167智能整流IC融合在一起，成為“整體芯片組解決方案”，進(jìn)一步提升SR電路的效率和功率密度。
由于IR1167能脫離主控獨(dú)立運(yùn)行，所以它適用于多種開(kāi)關(guān)模式變壓器和電容輸出濾波器應(yīng)用。與初級(jí)部分獨(dú)立，意味著IR1167在低功率的“跳頻模式”下運(yùn)作，使產(chǎn)品符合“待機(jī)功率小于1W”以及加州能源委員會(huì)的80Plus規(guī)定。
此外，嚴(yán)國(guó)富還指出：“以往在共振半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，同步整流在商業(yè)上并不可行，因?yàn)樽兓南到y(tǒng)頻率和低待機(jī)功率要求使整體架構(gòu)變得非常復(fù)雜。如今，IR1167提供的簡(jiǎn)單SR為提升系統(tǒng)效率提供了重要?jiǎng)恿Α！?BR>
智能整流技術(shù)使SR MOSFET的損耗減半，因此也減少了所需的MOSFET數(shù)量，還有助于將大型TO-220封裝改為小型、表面貼裝的SO-8器件。IR1167智能整流IC有SO-8和DIP-8兩種封裝選擇，兩者均不含鉛(PbF)，符合“電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令”(RoHS)。樣品現(xiàn)已通過(guò)產(chǎn)品市場(chǎng)部供貨。
IR中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富指出：“在100W到300W的回掃電路中，傳統(tǒng)的變壓器控制電路既復(fù)雜又笨重，還浪費(fèi)能量，因?yàn)镾R MOSFET的極性轉(zhuǎn)換感應(yīng)需要很高的反向電流。相比之下，IR智能整流IC憑借新的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和直接感測(cè)SR MOSFET的電壓門限值，實(shí)現(xiàn)了快速準(zhǔn)確的控制，使功耗降至最低。”嚴(yán)國(guó)富還補(bǔ)充道，“IR1167能提升1%的整體系統(tǒng)效率，減少M(fèi)OSFET溫升10度，并使得電路元件數(shù)減少為過(guò)去的1/4。”
據(jù)介紹，IR1167智能整流IC采用IR專有的HVIC技術(shù)，能夠與各種MOSFET柵極兼容，還可以直接連接IR各種30V至200V的SR MOSFET。在與具有優(yōu)化導(dǎo)通電阻及柵極電荷特性的IR MOSFET產(chǎn)品共同使用時(shí)，IR1167智能整流IC的優(yōu)勢(shì)將更加突出，具有這些特性的產(chǎn)品有：IRF7853、IRFB4110和IRFB4227等。這些優(yōu)化的MOSFET能與IR1167智能整流IC融合在一起，成為“整體芯片組解決方案”，進(jìn)一步提升SR電路的效率和功率密度。
由于IR1167能脫離主控獨(dú)立運(yùn)行，所以它適用于多種開(kāi)關(guān)模式變壓器和電容輸出濾波器應(yīng)用。與初級(jí)部分獨(dú)立，意味著IR1167在低功率的“跳頻模式”下運(yùn)作，使產(chǎn)品符合“待機(jī)功率小于1W”以及加州能源委員會(huì)的80Plus規(guī)定。
此外，嚴(yán)國(guó)富還指出：“以往在共振半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，同步整流在商業(yè)上并不可行，因?yàn)樽兓南到y(tǒng)頻率和低待機(jī)功率要求使整體架構(gòu)變得非常復(fù)雜。如今，IR1167提供的簡(jiǎn)單SR為提升系統(tǒng)效率提供了重要?jiǎng)恿Α！?BR>
智能整流技術(shù)使SR MOSFET的損耗減半，因此也減少了所需的MOSFET數(shù)量，還有助于將大型TO-220封裝改為小型、表面貼裝的SO-8器件。IR1167智能整流IC有SO-8和DIP-8兩種封裝選擇，兩者均不含鉛(PbF)，符合“電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令”(RoHS)。樣品現(xiàn)已通過(guò)產(chǎn)品市場(chǎng)部供貨。
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本文鏈接：IR智能整流IC有助MOSFET溫度下
http:www.wnxrsj.cn/news/2006-4/200641992917.html
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