Zetex日前推出ZXM N/P 7系列溝道MOSFET(圖)

　　Zetex Semiconductors日前推出ZXM N/P 7系列溝道MOSFET，提供D類輸出級所需的高效率、良好的散熱效果及音頻復制功能。這些N及P信道器件的額定電壓為70V，設有SOT223和DPAK封裝，能在平面電視、5.1環回立體聲系統等功率更高的音頻應用中實現安全可靠的操作。各款器件皆可適配采用互補性或全N信道MOSFET配置的單端及橋接式負載輸出級。

　　據介紹，ZXM N/P 7系列MOSFET具有更高的漏源電壓，相比于60V零件，能為設計人員提供額外空間，適應電源與門振鈴的大幅變化。器件的導通電阻甚低，在10V電壓下N、P信道器件的導通電阻一般分別只有130mΩ和160mΩ，因此可以經常保持低損耗，達到高效率操作和理想的散熱效果。

　　該系列MOSFET把低導通電阻RDS(on)與快速切換及低閘電荷特性相結合，有助優化輸出級效率，在設計完備的電路中效率可達90%以上。這些N信道和P信道器件，在10V操作環境中的關斷時間和閘漏極電荷分別為17ns/1.8nC及35ns/3.6nC。

　　此外，新型MOSFET能妥善處理高漏極電流，在單獨的場效應管操作中體現最大功率。由于它們對閘驅動的要求較低，因此可在需要更高負載功率的應用中，把場效應管并行設置。N信道器件采用SOT223和DPAK封裝時的最大漏極電流分別為3.8和6.1安培，P信道則分別為3.7和5.7安培。