Microsemi發布10款MOSFET和5款FREDFET器件

　　Microsemi日前推出其最新一代功率MOS 8產品的首批15款產品。這些新型的功率MOS 8 MOSFET和REDFET系列器件設計用于包括功率因子校正、服務器和電信電源系統、太陽能逆變器、電弧焊、等離子切割、電池充電器、半導體資本設備和感應加熱等高功率、高性能開關模式應用。

　　其主要優點有：受振蕩影響減小，電磁干擾(EMI)降低；低導通電阻RDS(on) ；低柵電荷；低開關損耗；額定雪崩能量；更低的熱阻抗。

　　Microsemi的工程師們采用先進的設計技術優化電容和柵極電阻，從而使一系列器件受振蕩影響程度降低、峰值轉換率更低、EMI減小、提高了dv/dt處理能力。這些優點相結合可簡化高功率應用中對多個器件的濾波和并聯。

　　此外，與早期的器件相比，先進的制造工藝降低了MOS 8產品的熱電阻，使每個裸片尺寸和封裝類型可承受更高的額定電流。電容和柵電荷的降低可實現較高的轉換頻率和較低的開關損耗。

　　所有MOS 8器件經過100%雪崩能量檢測，所用封裝皆符合RoHS指令。

　　因受益于恢復速度小于250ns的快速寄生二極管 ，MOS 8 FREDFET具有MOS 8 MOSFET所具有的全部優點。這些器件在寄生二極管承載正向電流的應中具有極好的耐用性和可靠性，如常用的零電壓轉換(ZVS)橋拓撲。

　　功率MOS 8系列首批推出的這10款MOSFET和5款FREDFET器件的額定電流范圍為19至75A，額定電壓范圍為500V至1200V。其它不同的額定電流、電壓組合將在2006年底和2007年初推出。

　　首批超快恢復FREDFET器件的額定電壓范圍為500V和600V，恢復時間僅為150納秒，計劃在2006年第四季度推出。額定電壓為600V和900V的功率 8 IGBT將在2007年年初推出。