RFMD宣布已通過第一代48V氮化鎵工藝技術認證

    日前，設計與制造高性能射頻系統與解決方案的RF Micro Devices(RFMD)在其分析日宣布，公司已通過了第一代48V氮化鎵(GaN)工藝技術的技術認證。

    RFMD是復合半導體制造商，公司充分利用了現有制造資產以及在高量產復合半導體設計與制造方面業經驗證的專業技能，以提供其最新GaN工藝技術所具有的良好熱性能及RF性能。RFMD已開始向多個終端市場中的客戶預批量發運其48V GaN技術。

    RFMD的48V GaN工藝技術非常適于滿足客戶日益增長的對更高功率、更高效率及更大帶寬的需求。公司正在瞄準多個高增長應用，包括高線性有線電視線路放大器、軍用雷達應用、高帶寬無線基礎設施功率放大器，以及面向創新高亮度光發生應用的功率模塊。

    RFMD多市場產品部總裁Bob Van Buskirk指出：“我們正在生產以及正在開發的多個產品將從我們最新GaN技術的引用中獲益。這種新的工藝技術為我們新成立的多市場產品組提供了直接的競爭優勢，我們GaN技術在多個終端市場中的不斷部署將支持我們有關收入與利潤隨我們多市場產品組的持續發展而增長的預期。”

    Van Buskirk繼續說道，“與當前可用的技術相比，RFMD的新GaN工藝技術可提供更高效率、更大的運行帶寬以及更高的強健性。這些性能特性正在支持多個高增長應用中的有利設計活動。”