Zetex推出3款N信道強化型MOSFET 可在1.8VGS下提供低損耗開關功能(圖)

　　Zetex Semiconductors推出3款針對可用驅動電壓有限應用而設計的N信道強化型MOSFET。

　　這3款新器件分別為20V的ZXMN2B03E6(SOT236封裝)、ZXMN2B14FH及ZXMN2B01F(兩者均屬SOT23封裝)。它們可在1.8VGS下提供低損耗開關功能，因此能以兩個1.2V電池或一個鋰電池驅動。其閘驅動超低，可直接通過邏輯閘來驅動。

　　Zetex保證3款新MOSFET的導通電阻(RDS(ON))，在1.8VGS下分別低于75m、100m和200m，在4.5VGS下則低于40m、55m和100m，在低電壓應用中大派用場，例如高端斷線開關的電平位移、升壓轉換器電路的外部開關，以至低電壓微控制器和馬達、螺絲管等負載的緩沖等。

　　快迅開關是Zetex專有UMOS技術另一主要特點。例如ZXMN2B01F在VGS=4.5V和ID=1A情況下的上升和下降時間僅為3.6ns及10.5ns。