TI推出UCC2700/1系列高頻N通道MOSFET驅(qū)動(dòng)器

　　UCC27200 與 UCC27201：120V 引導(dǎo)電壓、3 A 電流峰值、高頻、高側(cè)／低側(cè)驅(qū)動(dòng)器UCC27200/1 系列高頻 N 通道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120 V 自舉二極管與一個(gè)具備獨(dú)立輸入的高側(cè)／低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，從而能夠?qū)崿F(xiàn)最大的控制靈活性。這就使得 N 通道 MOSFET 控制能夠用于半橋接、全橋接、雙開(kāi)關(guān)正向以及有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器。低側(cè)與高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器可單獨(dú)控制，相互開(kāi)關(guān)之間的時(shí)間間隔僅為 1 ns。

　　片上自舉二極管無(wú)需使用外部分立式二極管。高側(cè)與低側(cè)驅(qū)動(dòng)器均具有欠壓鎖定功能，如果驅(qū)動(dòng)電壓低于指定的閾值，則強(qiáng)制輸出為低值。

　　UCC27200 提供兩個(gè)版本。UCC27200 具有高噪聲抗擾 CMOS 輸入閾值，而 UCC27201 具有符合 TTL 標(biāo)準(zhǔn)的閾值。

　　這兩種器件均采用 8 引腳 SOIC (D)、PowerPad* SOIC-8 (DDA) 以及 SON-8 (DRM) 封裝。

特性
* 指定溫度范圍為 -40 ℃至 140 ℃；
* 驅(qū)動(dòng)高側(cè)／低側(cè)配置中的兩個(gè) N 通道 MOSFET；
* 最高引導(dǎo)電壓為 120 V；
* 最高 VDD 電壓為 20 V；
* 片上 0.65 V VF、0.6 RD 自舉二極管；
* 工作頻率超過(guò) 1 MHz；
* 傳輸延遲時(shí)間為 20 ns；
* 3 A 輸入／3 A 輸出電流；
* 負(fù)載為 1000 pF 時(shí)，升／降時(shí)間分別為 8 ns/7 ns；
* 延遲匹配為 1 ns；
* 為高側(cè)與低側(cè)驅(qū)動(dòng)器提供欠壓鎖定功能。
應(yīng)用范圍
* 適用于電信、數(shù)據(jù)通信與零售商市場(chǎng)的電源；
* 半橋接應(yīng)用與全橋接轉(zhuǎn)換器；
* 隔離式總線架構(gòu)；
* 雙開(kāi)關(guān)正向轉(zhuǎn)換器；
* 有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器；
* 高壓同步降壓轉(zhuǎn)換器；
* D 類(lèi)音頻放大器。
PowerPad 是德州儀器的商標(biāo)。