Microsemi發(fā)布新款標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊

    Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設(shè)計(jì)用于電機(jī)控制，采用快速NPT IGBT的3相IGBT橋用于20～50KHz高頻應(yīng)用，采用場(chǎng)溝漕截止IGBT用于5～20KHz的低頻應(yīng)用。所有新款整流器都集成有用于監(jiān)控模塊內(nèi)部溫度的傳感器以實(shí)現(xiàn)過(guò)熱保護(hù)。

    快速NPT類IGBT的電流等級(jí)分別為：30A～50A/600V、15～25A/1200V；場(chǎng)溝漕截止型IGBT的電流等級(jí)分別為：20A～75A/600V，25A～35A/1200V

    該系列新款電源模塊采用SP3隔離式封裝，尺寸為12mm，引腳封裝僅為40.8mm×73.4mm，是一款結(jié)構(gòu)非常緊湊的電源解決方案。該系列電源模塊采用可軟焊的端子，可輕松地焊接在PCB板上。除了主DC電源連接之外，還提供有另外的DC電源引源用以連濾波電容。因其具有非常低的寄生內(nèi)部感應(yīng)系數(shù)，從而可減少過(guò)電壓、降低噪音、操作更加安全。

    雖然這些新款標(biāo)準(zhǔn)模塊是針對(duì)工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，但他們可在簡(jiǎn)單升級(jí)后用于要求更加嚴(yán)格的工作環(huán)境，如以下航空應(yīng)用：

可用氮化鋁基板替代標(biāo)準(zhǔn)鋁用于改進(jìn)熱性能
可用SiC替代FRED以改進(jìn)開(kāi)關(guān)損耗或使其能承受更高工作頻率和溫度
可用鋁硅碳(AlSiC)基板替代標(biāo)準(zhǔn)銅基板以減輕重量和延長(zhǎng)壽命
改進(jìn)封裝以能承受-60℃低溫

    所有產(chǎn)品樣品即將推出。量產(chǎn)(1,000～5,000件)價(jià)格為14.75～36.17美元。