NICT等試制出GaN類HFET 截止頻率為190GHz

    日本信息通信研究機構（NICT）與富士通研究所的研究小組試制出了截止頻率達190GHz、最大振蕩頻率達到227～241GHz的GaN類HFET，據稱這些特性達到了“世界最高水平”。NICT就此次的研究在2007年9月16～21日于美國拉斯維加斯舉行的“ICNS-7”上進行了技術發表（演講序號:DD7）。

　　此次能夠使頻率特性得以提高是因為將底板更換成了4H-SiC，提高了底板上形成的GaN類結晶的質量。此次的GaN類HFET采用在4H-SiC底板上按照GaN層、AlGaN層、作為絕緣層的SiN層依次層疊的構造。柵長為60nm，源極和漏極間的距離為2μm。該小組過去試制的GaN類HFET采用藍寶石底板。而此次則采用了與藍寶石底板相比，晶格常數及熱膨脹系數更接近GaN類半導體的4H-SiC，從而提高了HFET的結晶質量。

　　其它規格為，漏極電流最大為1.6A/mm，跨導為424mS/mm 。耐壓為30～40V。