三墾電氣演示基于GaN元器件的電源電路

　　三墾電氣實(shí)際演示了配備該公司試制的GaN元器件的電源電路。與利用原來的Si元器件時(shí)相比，功率轉(zhuǎn)換效率有所提高。實(shí)際演示有由功率因數(shù)校正電路（PFC）和DC-DC轉(zhuǎn)換器構(gòu)成的開關(guān)電源，以及逆變器電路2種。

　　在電源方面，通過將PFC中的Si制快恢復(fù)二極管（FRD）及MOSFET更換為GaN制肖特基勢壘二極管（SBD）及常關(guān)型（Normally-Off Type)FET，功率轉(zhuǎn)換效率“提高了2～4個(gè)百分點(diǎn)”。在演示中，將利用Si器件和GaN器件的開關(guān)電源的輸出功率設(shè)定為相同程度，根據(jù)輸入功率的不同，比較了兩種開關(guān)電源的功率轉(zhuǎn)換效率。盡管輸出電壓同為約24V，輸出電流同為約4.1A的約100W輸出功率，但利用GaN元器件時(shí)，輸入功率只有約124W，小于利用Si元器件時(shí)的約 129W。

　　在逆變器電路的演示中，驅(qū)動(dòng)了三相交流馬達(dá)。逆變器電路利用的模塊內(nèi)置了6枚集SBD和常關(guān)型FET于1身的GaN元器件芯片。與利用Si制FRD及IGBT構(gòu)成逆變器電路時(shí)相比，功率轉(zhuǎn)換效率“提高了近1個(gè)百分點(diǎn)”