Microsemi推出新的高速 Power MOS8系列IGBT

    領(lǐng)先的、高性能模擬和混合信號(hào)集成電路和高可靠性半導(dǎo)體器件制造商Microsemi日前宣布，推出新的高速 Power MOS8(r) 絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)系列，該系列器件產(chǎn)品采用穿通工藝技術(shù)，電壓為600V和900V。非常適用于太陽(yáng)能逆變器、高性能SMPS以及諸如電焊機(jī)、電池充電器和感應(yīng)加熱之類的工業(yè)設(shè)備。

其主要特性為：
* 穿通工藝技術(shù)
* 更加快速的開(kāi)關(guān)工作
* 高效率－飽和電壓低
* 電流拖尾短－使開(kāi)關(guān)損耗最小化
* 導(dǎo)通壓降VCE(ON)低

    新的 Power MOS8(r) IGBT系列的導(dǎo)通損耗低，其600V和900V器件的VCE(ON)－導(dǎo)通壓降典型值分別是2.0V和2.5V，因此使整個(gè)電路的效率得到提高。由于開(kāi)關(guān)損耗低，新系列的IGBT器件能夠工作在高于100kHz的頻率—已經(jīng)非常接近功率MOSFET的工作頻率，而且新系列IGBT的成本較低。

    Power MOS 8(r) IGBT系列能夠提供單個(gè)封裝的器件，也能夠提供與DQ系列快速軟恢復(fù)二極管封裝在一起的組合器件�，F(xiàn)在可提供樣品。對(duì)于批量為1K的訂貨，單個(gè)分立器件的單價(jià)為$2.09~ $7.04，組合器件的單價(jià)為$3.01~ $9.44。有關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)資料可在Microsemi的網(wǎng)站獲得。