Microsemi拓展功率半導體系列--新的 IGBT 和低 VF 超軟恢復二極管

     Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC)，一個領先的、高性能模擬和混合信號集成電路和高可靠性半導體器件制造商，推出一個新的諧振模式組合絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)和一個新的低 VF 超軟恢復二極管系列，以擴展它的大功率半導體器件產品系列。

    12個新的專用組合IGBT 是為大功率和高性能應用而設計的器件，其拓撲能用于諧振模式和相移橋的開關工作，實現零電壓(ZVS)和零電流(ZCS)開關轉換。該系列產品的輸入電壓為600V和1200V，能進行高速的開關轉換，內部具有并聯的續流二極管，有助于降低系統的導通損耗。

    該系列器件產品典型應用在功率等于或小于5000瓦的焊接、感應加熱、電信和醫療設備中。

    Microsemi的8個新的DL系列低 VF 超軟恢復二極管是設計用在具有輸出整流的電路或其它諸如相移橋的諧振模式電路中的。它們的超軟恢復特性可以使緩沖器最小化，甚至不再需要緩沖器，并使 EMI 最小化；而同時由于它們的正向電壓低，使得導通損耗降低。600V系列的產品包括有單器件、雙器件和共陰極的結構形式。

    “我們部門的著重點是為設計高電壓、大功率和高性能應用的工程師提供一個范圍充分寬闊的半導體解決方案，”在美國 Bend，Oregon 的 Microsemi 功率產品部的總經理，Russell Crecraft談到，“基于這個考慮，我們會不斷持續地進行市場跟蹤和調查，以尋找機會擴展我們的產品系列，這些新的IGBT和二極管產品可以作為一個示范。”

    IGBT組合系列和 DL 二極管系列都能夠立即供貨。有關Microsem 所有功率半導體器件產品的技術資料可在 Microsem 的網站獲得：http://www.microsemi.com。