性能優(yōu)勢決定SiC半導(dǎo)體市場規(guī)模將持續(xù)增長

　 日本矢野經(jīng)濟研究所公布了電子部件等使用的SiC及GaN等單晶的市場調(diào)查結(jié)果。被該研究所稱為功能性單晶的寬禁帶(wide gap )半導(dǎo)體用單晶以及非線形光學晶體等，大多尚未達到實用和量產(chǎn)水平。不過，預(yù)計今后市場有望擴大的是SiC以及GaN等。

　　2006年SiC單晶的市場規(guī)模為40億日元。SiC目前已投產(chǎn)的元件很少，主要用于研究開發(fā)。但是，隨著元件實用化的研發(fā)，需求有不斷擴大的傾向。現(xiàn)在，主要供應(yīng)SiC單晶的廠商是美國Cree。關(guān)于今后的市場動向，矢野經(jīng)濟研究所預(yù)計使用硅的高耐壓離散部件將被SiC取代。矢野經(jīng)濟研究所預(yù)計，在2～3年內(nèi)除了已投產(chǎn)的SiC二極管、MOSFET等的開關(guān)部件將量產(chǎn)外，5年后的2013年將形成一定的市場。SiC底板方面，除了采用在SiC上形成有外延SiC薄膜的電子部件外，使用GaN的HEMT元件以及發(fā)光元件的底板存在需求。尤其HEMT元件，面向高速通信及手機基站的需求有望增加。矢野經(jīng)濟研究所預(yù)測SiC單晶的市場規(guī)模到2010年將達到105億日元，2015年將達到300億日元。