Vishay推出業(yè)界首款采用MICRO FOOT®芯片級封裝的TrenchFET®功率MOSFET

新型20Vn通道器件具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度，提供1.8V VGS時0.043Ω至4.5V VGS時0.037Ω的低導通電阻范圍

    2009年1月19日，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布推出業(yè)界首款采用MICRO FOOT®芯片級封裝的TrenchFET®功率MOSFET---Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。

    Si8422DB針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3播放器及智能電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優(yōu)化。該器件2-mil背面涂層可實現(xiàn)對MICRO FOOT封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動部件暫時接觸而產(chǎn)生的電路短路。

    此絕緣設計令該器件可用于具有非常嚴格的高度要求的應用，從而設計人員可靈活放置MOSFET，屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在MOSFET的上方，這在壓低上述部件空間時將進一步壓縮產(chǎn)品的高度。此設計靈活性還可減少寄生效應，由于無需路由至PCB上的區(qū)域及更少的高度限制，電路布局可更好地優(yōu)化。

    20Vn通道Si8422DB具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS時0.043Ω至4.5V VGS時0.037Ω的低導通電阻范圍，且最大柵源電壓為±8V。

    目前，新型Si8422DB可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為10至12周。
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VISHAY SILICONIX簡介
Vishay Siliconix是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET（LITTLE FOOT®）。
創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能（PowerPAK®）和更小空間（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封裝選擇。除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉(zhuǎn)換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。
Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡介
Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務的能力使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。
TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix Incorporated的注冊商標。