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瑞薩科技全新推出新型MOSFET 可廣泛用于隔離式DC/DC整流器

2009/12/31 13:55:00   電源在線網
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    即前不久瑞薩科技公司推出用于數碼相機的DC/DC轉換器M62298FP之后,經細心研發,瑞薩科技又推出12款適用于隔離式DC/DC整流器的第十代功率MOSFET,適用于服務器、通信設備、工業設備等電源供應器。新推出的功率MOSFET可降低開關損耗,提升能源效率并涵蓋多種電壓范圍(40V、60V、80V、100V)。此次12款功率MOSFET采用了瑞薩科技的0.18μm第十代工藝,并已針對此應用優化。相較于瑞薩科技過去的產品(RJK1056DPB,可承受 100V電壓),柵漏負載電容器(Qgd)約降低50%。為了降低隔離式DC/DC整流器的耗電量,必須使功率MOSFET具有較低的柵漏負載電容器 (Qgd),柵漏負載電容器是達到較低開關耗損的關鍵因素。

    隔離式DC/DC整流器的輸入及輸出電壓,依據所采用之功率 MOSFET的電壓耐受范圍而定。在隔離組件方面,隔離式DC/DC整流器包含一個主要電源供應器做為輸入端,以及次要電源供應器做為輸出端。新款的功率 MOSFET包括承受電壓80V及100V的產品,主要適用于輸入端,另有承受電壓40V及60V的產品,主要適用于輸出端。

    新款MOSFET采用瑞薩科技經過實證的LEPAK高效能封裝,可同時提供較低的封裝阻抗及優異的散熱特性,避免組件過熱。相較于傳統的SOP-8或類似封裝,此種封裝本身有助于產品的低損耗特性。內部的連接與框架直接相連,可降低封裝電感并確保適用于高頻率運作。■

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