富士通業(yè)界首推125℃規(guī)格的低功耗SiP存儲器

高溫電阻解決了消費類產(chǎn)品中的散熱和成本問題

    日前，上海–富士通微電子（上海）有限公司今日宣布推出兩款新型消費類FCRAM（*1）存儲器芯片-512 Mb（MB81EDS516545）和256 Mb（MB81EDS256545）。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口，是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴大至125°C的芯片。富士通微電子今日起開始提供這兩款新型FCRAM產(chǎn)品。這兩款低功耗存儲器適用于數(shù)字電視、數(shù)字視頻攝像機等消費類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級封裝（SiP）。

    如果SiP架構(gòu)上的片上系統(tǒng)（SoC）整合了新型FCRAM芯片，當SiP工作速度提高導(dǎo)致工作溫度上升時，存儲器也不會對操作造成影響或限制，客戶將從中受益。此外，它還具有其它優(yōu)勢，如可降低產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)難度，節(jié)省電路板空間，并減少元器件數(shù)量（詳細信息請參照下圖）。

    目前，市場對消費類數(shù)字產(chǎn)品的性能、速度和開發(fā)成本的要求越來越高。為滿足這些需求，就會更多地使用SiP，要求它同時整合帶有SoC的存儲器芯片。使用SiP可以減少元器件數(shù)量并節(jié)省電路板空間，進而能夠降低系統(tǒng)成本。使用SiP還能簡化高速存儲器開發(fā)或采取降噪措施等設(shè)計。

　
圖1: 存儲器SiP上的散熱設(shè)計方案比較：
顯示使用新型FCRAM的優(yōu)越性

    如圖1所示，迄今為止，使用傳統(tǒng)的存儲器，SiP發(fā)揮受限，而使用新型FCRAM產(chǎn)品就可以解決這一問題。圖1(a)介紹的SiP架構(gòu)上使用的高性能SoC功耗較高，產(chǎn)生的熱量可使SiP溫度上升到105℃。因為SoC的最高溫度額定為125℃，所以操作能夠正常進行，但使用傳統(tǒng)的存儲器僅可在最高為95℃的溫度環(huán)境下運行，因此不能使用這一SiP架構(gòu)。

    要在SiP上使用傳統(tǒng)的存儲器，另外一種方法是添加類似散熱器等散熱器件。如圖1(b)所示，這一方案可使SiP溫度降低到90℃，器件可以運行，但是增加了成本和電路板占用面積。因此，許多一直在研究SiP的客戶希望擴大存儲器的工作溫度范圍。

    富士通微電子正是應(yīng)對這一需求而開發(fā)出了最高工作溫度為125℃的512 Mb和256 Mb消費類FCRAM產(chǎn)品。如1(c)所示，使用額定為125℃的FCRAM，即使整合一顆高功耗的SoC，SiP也能運行良好，無需添加散熱器。這就解決了使用額定為95 ℃的傳統(tǒng)存儲器而需要采取散熱措施而引發(fā)的成本增加問題。

    而且，即使在125℃的環(huán)境下運行，這些新型FCRAM產(chǎn)品也可以提供傳統(tǒng)DDR SDRAM存儲器兩倍的數(shù)據(jù)傳輸率，同時還能保持低功耗。事實上，與傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM存儲器相比，新型512 Mb FCRAM能降低功耗達50%。所以，這些新型FCRAM可以減少消費類電子產(chǎn)品的存儲器的二氧化碳排放達50%（詳細信息請參照下圖）。

    富士通微電子將繼續(xù)為SiP開發(fā)具備必要性能和功能的產(chǎn)品，從而為消費類電子產(chǎn)品提供價值和成本最優(yōu)的解決方案。

    樣片提供

    銷售目標

    每月共銷售一百萬片

    產(chǎn)品特性

    1. 業(yè)界首推在125 ℃下運行的芯片

    這些新型FCRAM最高工作溫度為125℃，與傳統(tǒng)SDRAM存儲器最高85℃或者95℃的溫度規(guī)格相比，提高了系統(tǒng)內(nèi)的允許功耗。因此，可以實現(xiàn)SiP解決方案，而這在以前是不可能的，例如：高性能數(shù)字消費類電子產(chǎn)品所需的高功耗SoC若整合了存儲器會導(dǎo)致器件過熱。而且該產(chǎn)品可以使用低成本封裝，無需高溫規(guī)格。

    2. 低功耗

    通過將總線寬擴大至64 bit、減少工作頻率和使用終端電阻（*2），與兩個使用16 bit總線寬的傳統(tǒng)DDR2 SDRAM存儲器芯片相比，新型FCRAM可降低功耗最高達50%。這些新型FCRAM可以減少消費類電子產(chǎn)品的存儲器的二氧化碳排放達50%。

    3. 高速數(shù)據(jù)帶寬

    工作溫度是125℃時，新型FCRAM通過使用64bit總線寬并在最高工作頻率為200MHz運行時，可以提供3.2 GB/秒的數(shù)據(jù)傳輸率，這是傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM速度的兩倍。若工作溫度不高于105℃（≤ 105℃），在216 MHz的工作頻率下運行時，產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率將增加到3.46 GB/秒。

    附件

    512 Mb FCRAM和256 Mb FCRAM芯片的主要規(guī)格

    術(shù)語和注釋

    *1. 消費類FCRAM：FCRAM（快速循環(huán)隨機存儲器）是富士通微電子具有自主知識產(chǎn)權(quán)的RAM內(nèi)核系統(tǒng)，以高速度和低功耗出名。消費類FCRAM是指使用行業(yè)標準低功耗SDRAM接口的FCRAM內(nèi)核，最適宜于消費類電子產(chǎn)品。

    *2. 終端電阻：終端電阻是指在電線或信號終端跨接的電阻，用于消除信號反射帶來的干擾，但是其功耗較高。DDR2 SDRAM的終端電阻嵌入到芯片（ODT：片內(nèi)終結(jié)）。

    更多信息，請瀏覽：富士通微電子株式會社FCRAM產(chǎn)品網(wǎng)站http://www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/product/memory/fcram/

    附件

    512 Mb FCRAM-MB81EDS516545的主要規(guī)格

    256 Mb FCRAM-MB81EDS256545的主要規(guī)格

    關(guān)于富士通微電子（上海）有限公司

    富士通微電子（上海）有限公司是富士通在中國的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連等地均設(shè)有分公司,負責(zé)統(tǒng)籌富士通在中國半導(dǎo)體的銷售、市場及現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù)。

    富士通微電子（上海）有限公司的產(chǎn)品包括專用集成電路（ASIC）、單片機（MCU）、專用標準產(chǎn)品（ASSP）/片上系統(tǒng)（SoC）和系統(tǒng)存儲芯片,它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域。在技術(shù)支持方面，分布于上海、香港及成都的IC設(shè)計中心和解決方案設(shè)計中心,通過與客戶、設(shè)計伙伴、研發(fā)資源及其他零部件供應(yīng)商的溝通、協(xié)調(diào)，共同開發(fā)完整的解決方案，從而形成一個包括中國在內(nèi)的完整的亞太地區(qū)設(shè)計、開發(fā)及技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò)。欲了解更多信息，請訪問網(wǎng)站：http://cn.fujitsu.com/fmc

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