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英飛凌新品全球首發(fā)媒體見面會紀(jì)要

2009/6/25 11:00:02   電源在線網(wǎng)
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    Q1:請問與國際上其他品牌的類似產(chǎn)品相比,Infineon的600V C6在各方面有何區(qū)別?

    答:首先,在單位封裝方面,以T220封裝為例,其他品牌類似產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻大約是380毫歐,比我們高好幾倍,而我們C6現(xiàn)在做到最好的是99毫歐。如果他們?yōu)閷?shí)現(xiàn)同樣的導(dǎo)通電阻需要應(yīng)用TO-247封裝,成本將會貴許多。眾所周知,在半導(dǎo)體的成本中,封裝是很關(guān)鍵的問題。我們在TO-247封裝方面能做到最好的45毫歐,而其他品牌不能做到這么低,這也是我們的區(qū)別之一。

    其次,在電源工作頻率方面,我們的MOSFET開關(guān)頻率可以提高到250kHz~400kHz。如果用其他品牌的超級結(jié)結(jié)構(gòu)的MOS,會產(chǎn)生大的損耗,很難去實(shí)現(xiàn)。但如果采用CoolMOS,可以實(shí)現(xiàn)頻率超過250kHz。當(dāng)然開關(guān)頻率越高,損耗越高,例如超過450k以上,就要采用零電流,零電壓等軟開關(guān)架構(gòu),我們就可以配合二極管去做。

    Q2:這個開關(guān)是否不再需要采用諧振的電源架構(gòu)?

    答:準(zhǔn)諧振要求不能太高,如果是二三百瓦就不推薦了。當(dāng)輸出功率越高,電流就越大,導(dǎo)通損耗則越高。如果沒有一個低導(dǎo)通電阻的MOS,導(dǎo)通損耗會很大。而CoolMOS的導(dǎo)通電阻很低,可以降低導(dǎo)通損耗。另外CoolMOS里面的輸出電容很低,該參數(shù)是影響開關(guān)損耗最大的因素。如果輸出電容量低,累計(jì)損耗就低。采用諧振的設(shè)計(jì),也需要通過對輸出電容進(jìn)行通電放電,也會產(chǎn)生一定的損耗。因此,如果是用傳統(tǒng)的MOS進(jìn)行設(shè)計(jì),損耗會很高。

    Q3:輸出電容對電路本身有影響,那輸出電容降低之后是否對線路性能也有影響?

    答:將輸出電容降低不會影響電路的性能。但開關(guān)頻率提高,輸出電容會和PCB寄生的電感等參數(shù)會產(chǎn)生諧振,會產(chǎn)生些尖峰。工程師應(yīng)該關(guān)注這一點(diǎn),不管提高還是降低,都需要知道寄生參數(shù)的影響。所以,在做PCB布板的時候,需要了解如何將其優(yōu)化。如果沒有這些配合,不可能把開關(guān)頻率提高。僅僅改變參數(shù),是不會對電路產(chǎn)生影響的。

    Q4:C6的開關(guān)頻率是多少?

    答:開關(guān)頻率由用戶自行設(shè)定。MOS的開關(guān)頻率是從PWM來確定的,100k、150k或200k都可以。

    Q5:如果頻率到了100k以上,那總體損耗是否由開關(guān)損耗來決定?是否可以說總體損耗還是由最大的開關(guān)頻率來決定?導(dǎo)通損耗存在多少?

    答:工程師選多大的開關(guān)頻率去做設(shè)計(jì)主要基于以下幾點(diǎn):成本、效率和大小。只要將開關(guān)頻率提高,諸如電容等被動器件的體積就可以變小。但導(dǎo)通損耗一定會存在,永遠(yuǎn)是越低越好。對于功率半導(dǎo)體來說,導(dǎo)通電阻和寄生電容是成反比的,一個高,另一個勢必就低,但我們可以將兩者達(dá)到一個優(yōu)化點(diǎn)。

    英飛凌的方向是在降低導(dǎo)通損耗的同時又降低開關(guān)損耗.我們提倡的FOM參數(shù)也就是體現(xiàn)我們的方向。

    導(dǎo)通電阻越小的開關(guān)管,由越多的MOS胞元并成,寄生出來的電容也就越多,也就會增加越多的開關(guān)損耗.這就要工程師在開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗間找個平衡點(diǎn).

    Q6:以開關(guān)損耗為主時,該器件的總體損耗會高出很多嗎?

    答:由于寄生參數(shù)變低,就會降低其開關(guān)損耗。每一次充電放電的能量損耗和每一個開關(guān)的損耗都會降低。但如果你將開關(guān)頻率繼續(xù)提高,還是要考慮很多方法去控制其損耗。

    Q7:C6比C3價(jià)格更便宜,如何降低C6的產(chǎn)品成本?

    答:C6的推出將會取代我們最流行的C3。為了與競爭對手相抗衡,我們就應(yīng)該降低產(chǎn)品成本,所以我們需要推出新的系列。為了避免被淘汰,我們也必須要朝著降低成本的方向進(jìn)行,C3已經(jīng)沒有降價(jià)的空間,所以我們才推出了C6。

    成本主要來自晶元的大小, CoolMOS C6采用的是新科技, 讓里面的晶體變的更小, 并采取新的封裝技術(shù)降低成本。

    Q8:C6與C3有很大的關(guān)聯(lián)性,那C6可以取代C3嗎?是否有C4和C5兩種產(chǎn)品?

    答:可以。沒有C4,因?yàn)?在中文里有不好的寓意。至于C5,我們已經(jīng)將其命名為CP。CP的開關(guān)損耗是最低的,比C6還低,所以C6不能代替CP。CP更適合在更高效的電源產(chǎn)品中。

    Q10:CFD是900V還是600V?除了用在服務(wù)器等設(shè)備,C6和CP還應(yīng)用在哪些領(lǐng)域?

    答:是600V。它是帶體內(nèi)快恢復(fù)二極管的,適合于例如橋式電路等零電壓或零電流軟開關(guān)場合.
C6和CP還可應(yīng)用在太陽能、電腦電源、LCD和綠色照明等各個方面。對于超級結(jié)結(jié)構(gòu)的MOS在3-5W的手機(jī)充電器領(lǐng)域的價(jià)格不占優(yōu),CoolMOS亦如此。

    Q12:C6主要應(yīng)用在哪些方面?高端還是低端產(chǎn)品?它能應(yīng)用在Eeepc上面嗎?

    答:既然C6將要代替C3,而C3已經(jīng)幾乎運(yùn)用在所有的產(chǎn)品上,所以C6沒有任何傾向性,它幾乎可以應(yīng)用在所有的電源上面,包括Eeepc。

    Q13:在多少瓦的時候,C6可以達(dá)到最高的性能成本比?

    答:沒有這樣一個確切的點(diǎn),其實(shí)我們考慮最多的還是成本。我們將給工程師提供很多選擇,而不是隨意定下方案怎么做。我們更多會依據(jù)市場和用戶的需求來定。畢竟無論做多大的功率,只要價(jià)格沒有競爭力,廠商都不會做。

    Q14:競爭對手是否有類似于C6的產(chǎn)品?

    答:有,但我們是領(lǐng)導(dǎo)地位。英飛凌從上世紀(jì)90年代就開始做了,客戶很信賴我們的產(chǎn)品。現(xiàn)在我們已經(jīng)做到了第五代,比競爭對手要先進(jìn)。我們曾經(jīng)發(fā)現(xiàn)過的問題,他們一定會重復(fù)。我們之所以開始研發(fā)C6是因?yàn)镃3的發(fā)展空間不大,需要一個更先進(jìn)的產(chǎn)品來代替它。

    Q15:C6的價(jià)格策略如何?你們將如何定價(jià)?

    答:我們基于成本和性能的考慮來研發(fā)C6。C6比C3便宜,是市場所決定的。

    Q16:尺寸和功率往往成正比,請問英飛凌如何平衡兩者的關(guān)系?

    答:要做到小晶元,我們通過做到降低損耗來達(dá)到平衡。如果損耗跟之前一樣,那是沒有競爭力的。按參數(shù)來說,晶元改變就會引起很多改變。晶元小,ID一定會小,這是物理現(xiàn)象,但是ID小不影響設(shè)計(jì)。因?yàn)镮D只是一個計(jì)算結(jié)果值。■

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  來源:英飛凌
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