全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 日前推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業界最低的通態電阻 (RDS(on))，并且使動態ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術，提供極低的通態電阻（在10V Vgs時典型為0.5mΩ），同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導損耗，從而大大提高整體系統的效率。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封裝的器件，與同類器件相比擁有更低的通態電阻，可實現卓越的效率及熱性能，適合于高密度DC-DC應用，如比D2PAK尺寸更小的服務器。另外，該器件還有助于節省電路板空間及整體系統的成本，因為在特定功率損耗下，它比現有解決方案使用更少的器件。”
此外，IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現了改善的安全工作區（SOA）能力。該器件采用無鉛設計，并符合RoHS標準。
IRF6718是IR針對DC開關應用的25V DirectFET系列的衍生產品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關應用，并且在各自的PCB尺寸內提供業界最佳的通態電阻。
產品的基本規格：
|
器件編號 |
典型RDS(on) @10V (mΩs) |
典型RDS(on) @4.5V (mΩs) |
VGS (V) |
ID @ TA=25ºC (A) |
封裝面積 (mm x mm) |
典型RDS(on) @10V x 面積 (mΩ x mm2) |
|
IRF6718 |
0.5 |
1.0 |
+/-20 |
61 |
7 x 9.1 |
31.9 |
|
IRF6717 |
0.95 |
1.6 |
+/-20 |
38 |
4.9 x 6.3 |
29.3 |
|
IRF6713 |
2.2 |
3.5 |
+/-20 |
22 |
3.8 x 4.8 |
40.1 |
上述器件的數據及應用說明已在IR的網站www.irf.com提供。
IR已開始接受量產訂單。
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ，是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。
IR成立于1947年，總部設在美國洛杉磯，在二十個國家設有辦事處。IR全球網站：www.irf.com，中國網站：www.irf.com.cn。■
來源：國際整流器
http:www.wnxrsj.cn/news/2009-8/200981018849.html
0755-82905460
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