Vishay新款導(dǎo)通電阻Si4628DY 創(chuàng)業(yè)界最低紀(jì)錄

器件采用第三代TrenchFET®技術(shù)和SO-8封裝，導(dǎo)通電阻低至3mΩ

 
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未有的最低導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V柵極驅(qū)動電壓下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。
 
    新的Si4628DY SkyFET通常可用做同步降壓轉(zhuǎn)換器中的低壓側(cè)功率MOSFET，降壓轉(zhuǎn)換器可用于筆記本電腦的內(nèi)核電壓和VRM應(yīng)用、圖形卡、負載點功率轉(zhuǎn)換，以及計算機和服務(wù)器當(dāng)中的同步整流。品質(zhì)因數(shù)(FOM)是導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積，是這些應(yīng)用的關(guān)鍵性能指標(biāo)，與采用SO-8封裝的最接近器件相比，該器件在10V和4.5V柵極驅(qū)動下的FOM分別小26%和34%。
 
    Si4628DY可改善用主電網(wǎng)供電的服務(wù)器或電池供電的筆記本電腦在輕負載條件下的功率轉(zhuǎn)換效率。在輕負載條件下，功率轉(zhuǎn)換器中的MOSFET是關(guān)閉的，電流通過肖特基二極管進行傳輸。由于肖特基二極管與MOSFET集成在一起，其前向電壓降要遠低于MOSFET內(nèi)部體二極管上的電壓降。因此，當(dāng)降壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET在死區(qū)時間內(nèi)被關(guān)斷時，該特性能夠大大減少功率損耗。
 
    肖特基二極管的反向恢復(fù)電荷(QRP)比MOSFET體二極管的QRP要低，因此能夠進一步改善性能。Vishay Siliconix的SkyFET技術(shù)使器件的QRP比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET體二極管減少了幾乎75%，可以提高輕負載條件下的轉(zhuǎn)換效率。
 
    最后，將肖特基二極管集成進MOSFET硅片可消除寄生電感。如果是以分立器件的形式將肖特基二極管和MOSFET安裝到PCB板上，或是把分立的MOSFET和肖特基二極管封裝在一起，均會引入寄生電感。
 
    這些特性所帶來的效率改善，能夠直接降低能量消耗，降低服務(wù)器集群等設(shè)施的電費開支，延長膝上計算機在兩次充電之間的電池壽命。
 
    Si4628DY現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。

VISHAY簡介
      Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。■