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飛兆推出低于1 mOhm的30V MOSFET器件

2009/9/8 17:39:27   電源在線網
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  飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件,采用Power 56封裝,型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關或ORing FET,為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續導通特性,可降低功耗和提高效率,以提升服務器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1 mOhm 障礙的MOSFET器件,最大RDS(ON) 僅為0.99 mOhm,能夠減少傳導損耗,提高應用的總體效率。例如,與一個使用2.0 mOhm MOSFET的典型應用相比,這款30V MOSFET便能夠以一半的FET數目,提供相同的總體RDS(ON)。

  FDMS7650 采用飛兆半導體性能先進的 PowerTrench® MOSFET 技術,提供具突破性的RDS(ON) 。這項技術擁有出色的低 RDS(ON)、總體柵極電荷(QG) 和米勒電荷 (QGD) ,能最大限度地減少傳導和開關損耗,從而帶來更高的效率。

  這款功率MOSFET器件是飛兆半導體眾多 MOSFET 器件之一,為功率設計提供了卓越的優勢。這個系列的其它出色產品還有飛兆半導體的30V雙N溝道MOSFET器件 FDMC8200和FDMS9600,FDMC8200通常具有24 mOhm 的高側RDS(ON) ,以及9.5 mOhm的低側RDS(ON) ,有效提高了 DC-DC 應用的效率。FDMS9600 則通過降低高側 MOSFET 的開關損耗,以及低側 MOSFET的傳導損耗,為同步降壓應用提供最佳的功率級!

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  來源:電子產品世界
本文鏈接:飛兆推出低于1 mOhm的30V MO
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