TI推出面向高電流DC/DC應用的標準尺寸功率MOSFET產品系列

    近日，德州儀器為滿足基礎設施市場對處理器功能提出要求，正式宣布面向高電流 DC/DC 應用行業(yè)推出第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool(TM) NeXFET(TM) 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。

    該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應用，其中包括臺式個人計算機、服務器、電信或網絡設備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。

    TI 高級副總裁兼電源管理全球經理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿足各種基礎設施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求。”

    DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優(yōu)勢：

    作為單相35A 同步降壓轉換器的 MOSFET， 采用一個 MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC 應用中的高、低側兩種開關需求；

    增強型封裝技術可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15攝氏度/每瓦降至1.2攝氏度/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%；

    高效的雙面散熱技術可將允許通過 FET 的電流提高 50%，設計人員無需增加終端設備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅動的處理器；

    業(yè)界標準 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡化設計、降低成本，與使用兩個標準5X6封裝相比，可節(jié)省 30平方毫米的空間。 ■