TI推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET產(chǎn)品系列

    近日，德州儀器為滿足基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出要求，正式宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用行業(yè)推出第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool(TM) NeXFET(TM) 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。

    該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應(yīng)用，其中包括臺式個人計算機(jī)、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。

    TI 高級副總裁兼電源管理全球經(jīng)理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求。”

    DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優(yōu)勢：

    作為單相35A 同步降壓轉(zhuǎn)換器的 MOSFET， 采用一個 MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC 應(yīng)用中的高、低側(cè)兩種開關(guān)需求；

    增強(qiáng)型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15攝氏度/每瓦降至1.2攝氏度/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%；

    高效的雙面散熱技術(shù)可將允許通過 FET 的電流提高 50%，設(shè)計人員無需增加終端設(shè)備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅(qū)動的處理器；

    業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡化設(shè)計、降低成本，與使用兩個標(biāo)準(zhǔn)5X6封裝相比，可節(jié)省 30平方毫米的空間。 ■