南車株機所填補我國先進電力電子器件的空白

    近期，隨著IGBT封裝線全面投產，南車株洲電力機車研究所有限公司的6英寸大功率半導體器件研發及產業化基地正式建成。 

    該項目投資3.5億元，占地4公頃，總建筑面積2.2萬平方米，于2007年啟動建設，工藝裝備和測試設備達到世界一流水準，主要生產6英寸、5英寸高壓大電流晶閘管和整流管，年生產能力達6萬只模塊。 

    近年，電力電子技術迅速發展，具有關斷能力的功率半導體器件成為市場主流。IGBT已成為電機控制和功率變換器首選器件，在軌道牽引系統中普遍應用，并成為節能技術和低碳經濟的主要支撐，還可廣泛應用于可再生能源發電、智能配電與控制、分布式發電、電力牽引等領域。“時代電氣”大功率IGBT封裝線的投產，填補了我國基礎工業中先進電力電子器件的空白。 

    據悉，該基地建成投產后，將滿足我國軌道交通、智能電網、新能源等重要領域對電力電子器件的強大需求，打破國外公司的技術壟斷，全面提升我國電力電子產業的技術水平。■