集成SemiSouth碳化硅JFETs新型功率模塊

    日前，Vincotech發(fā)布市場上第一款集成SemiSouth常開碳化硅（SiC）JFETs芯片的光伏逆變器專用模塊。模塊使用了混合電壓型中心點鉗位拓撲結構(MNPC)和分離型雙端子輸出，取得了超高的輸出效率。

    新產品包含一個1200V的雙升壓電路模塊（booster）和一個1200VMNPC拓撲結構的逆變模塊，封裝為12mm高的flow0。模塊支持最高輸出30kW三相光伏逆變器。

    關于升壓模塊flowBOOST0-10-PZ12B2A025FN-M330L08Y的主要特點為：

    ·雙升壓拓撲結構

    ·SemiSouth常開溝漕型碳化硅JFET

    ·SemiSouth碳化硅肖特基二極管

    ·由于沒有拖尾電流，適合超高開關速度

    ·模塊內部集成濾波電容，低寄生電感設計

    ·免焊接管腳技術

    ·緊湊的12mm高flow0封裝

    關于逆變模塊flowMNPC0-10-PZ12NMA025FN-M340F08Y的主要特點為：

    ·MNPC拓撲結構（每個模塊為1相）

    ·SemiSouth常開溝漕型碳化硅JFET

    ·由于沒有拖尾電流，適合超高開關速度

    ·分離型輸出結構，不會有橋臂直通風險

    ·模塊內部集成濾波電容，低寄生電感設計

    ·免焊接管腳技術

    ·緊湊的12mm高flow0封裝<