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Diodes 40V 閘極驅動器減少IGBT開關損耗

2011/7/5 11:29:22   電源在線網
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    日前,Diodes公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。

Diodes 40V 閘極驅動器減少IGBT開關損耗

    當輸入電流為 1mA 時,該閘極驅動器通常可提供 4A 的驅動電流,使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個發射極跟隨器配置,可防止閂鎖效應(latch-up)及貫通問題(shoot-through),實現少于 10ns 的傳輸延遲時間。

    ZXGD3006E6 的操作范圍涵蓋 40V,可全面改善開關器件,從而把通態損耗降至最低。該器件同時允許從 +20V 至 -18V 的閘極驅動,有助于防止由 dV/dt 引起的IGBT 誤觸發(false triggering)。

    這個閘極驅動器提供獨立電源和路漏輸出(sink output),可分別器件開啟及關閉時間,從而讓電路設計師能為特定應用設定更佳的開關功能。再加上擁有 10Amp 的峰值電流處理能力,該器件可控制大閘極容性負載的充電和放電,以減少更高運行頻率下的 EMI(電磁干擾)問題和跨導風險(cross conduction)。

    該閘極驅動器采用堅固耐用的 SOT26 封裝,可比競爭器件提供更高的脈沖電流,確保減少熱耗散,從而提升產品可靠性。此外,新器件的封裝引腳經過優化,能簡化印刷電路板布線,并減少寄生引線電感。g

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