IR推出新系列40V至200V車(chē)用MOSFET

    日前，全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司推出車(chē)用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)上的其它重載應(yīng)用。

    全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級(jí)驅(qū)動(dòng) MOSFET 都為 IR 車(chē)用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)。基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達(dá) 240A。

    IR 亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“IR 全新車(chē)用溝道 MOSFET 系列可在下一代汽車(chē)應(yīng)用，包括集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī)和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能。”

    所有 IR 車(chē)用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念，并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過(guò)1, 000 次溫度循環(huán)測(cè)試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過(guò) 20%。然而，經(jīng)過(guò)延長(zhǎng)測(cè)試后，IR 的新款 AU 物料單在 5,000 次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化不到 10%，體現(xiàn)了該物料單的高強(qiáng)度和耐用性。