Vishay的VRPower®集成式DrMOS功率級實現高功率、高性能多相POL穩壓器

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用3種PowerPAK®封裝尺寸的新系列VRPower®集成式DrMOS功率級解決方案，用以應對高功率和高性能的多相POL應用中的設計挑戰。

    Vishay Siliconix SiC789和SiC788采用MLP66-40L封裝和符合Intel® 4.0 DrMOS標準(6mm x 6mm)的占位；SiC620和SiC620R采用新型5mm x 5mm 的MLP55-31L封裝；SiC521采用4.5mm x 3.5mm的MLP4535-22L封裝。這些器件適用于需要大電流，電路板空間有限的計算和存儲設備、電信交換機和路由器、圖形卡、比特幣挖礦機中的DC/DC轉換器。

    SiC789和SiC788的6 mm x 6 mm封裝便于已經采用Intel標準DrMOS 4.0占位的設計升級到更高的輸出功率，而新的5mm x 5mm和3.5mm x 4.5mm占位非常適合電路板空間受限，需要采用更多小尺寸電壓穩壓器的新設計。PowerPAK MLP55-31L和MLP4535-22L在設計上還有多項改進和提高，改善了封裝的寄生效應和熱性能，充分發揮Vishay最先進的Gen IV MOSFET的動態性能。

    比如，SiC620R采用可雙面冷卻的MLP55-31L封裝，在典型的多相降壓轉換器里能夠輸出70A電流，效率達到95%。通過在封裝的正面和背面對器件進行冷卻，在占位比前一代封裝縮小33%的同時，損耗還減少了20%。在筆記本電腦和服務器、通信交換機及游戲機主板的外接電源里，3.5mm x 4.5mm尺寸的SiC521能夠連續輸出25A電流，峰值電流達40A。

    VRPower系列的柵極驅動IC兼容各種PWM控制器，支持5V和3.3V的三態PWM邏輯。另外，驅動IC整合了二極管仿真模式電路，能夠提高輕負載條件下的效率，自適應死區時間控制有助于進一步提高在所有負載點下的效率。器件的保護功能包括欠壓鎖定(UVLO)、擊穿保護，過熱報警功能在結溫過高時會向系統發出警報。

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