納微半導體成立全球首家針對電動汽車的氮化鎵功率芯片設計中心

　　下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放

　　2022年1月14日，北京——氮化鎵(GaN)功率芯片的行業(yè)領導者Navitas Semiconductor（納斯達克代碼：NVTS）宣布開設新的電動汽車(EV)設計中心，進一步擴展到更高功率的氮化鎵市場。與傳統(tǒng)的硅解決方案相比，基于氮化鎵的車載充電器(OBC)的充電速度估計快3倍，節(jié)能高達70%。據(jù)估計，氮化鎵OBC、DC-DC轉換器和牽引逆變器將有望延長電動汽車續(xù)航里程，或將電池成本降低5%，和原先使用硅芯片相比，氮化鎵功率芯片有望加速全球EV的普及提前三年來到。據(jù)估計，到2050年，將電動汽車升級到使用GaN之后，道路部門的二氧化碳排放量每年有望減少20%，這也是《巴黎協(xié)定》的減排目標。

　　

　　氮化鎵(GaN)器件是功率半導體技術的前沿，其運行速度比傳統(tǒng)硅芯片快20倍。Navitas的GaNFast™功率芯片集成了GaN電源、GaN驅動、保護和控制。高速和高效率已成為節(jié)能、高功率密度、低成本和更高可靠性的新行業(yè)標準。

　　新的設計中心位于中國上海，擁有一支經(jīng)驗豐富的世界級電力系統(tǒng)設計師團隊，他們在電氣、熱力和機械設計、軟件開發(fā)以及完整的仿真和原型設計能力方面具有全面的能力。新團隊將在全球范圍內為電動汽車客戶提供支持，從概念到原型，再到全面認證和大規(guī)模生產。

　　著名電動汽車行業(yè)專家、上海設計中心新任高級總監(jiān)孫浩先生表示：“設計中心將為全功能、可產品化的電動汽車動力系統(tǒng)開發(fā)原理圖、布局和固件。Navitas將與OBC、DC-DC和牽引系統(tǒng)公司合作，創(chuàng)建具有最高功率密度和最高效率的創(chuàng)新世界級解決方案，以推動GaN進入主流電動汽車。”

　　為EV應用量身定制的高功率650V GaN IC已于2021年12月向EV客戶提供樣品。在最近的小米產投日活動上，納微展示了6.6kW OBC概念模型，后在CES上也進行了展示。

　　“納微半導體電動汽車團隊在提供動力系統(tǒng)方面擁有豐富的人才和成熟的經(jīng)​​驗，”納微半導體副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理查瑩杰表示。“對于GaN來說，電動汽車是一個令人興奮的擴展市場，估計每輛EV內，氮化鎵的潛在價值為250美元。逐個市場來看，Navitas正在快速推進到更高功率的應用，例如電動汽車、數(shù)據(jù)中心和太陽能。”

　　制造氮化鎵功率芯片的二氧化碳排放量比硅芯片低10倍。考慮到效率以及材料尺寸和重量優(yōu)勢，每個出貨的納微氮化鎵功率芯片相比硅可以節(jié)省大約4公斤的二氧化碳。總體而言，到2050年GaN有望解決每年2.6 Gton的二氧化碳排放量減少問題。