納微半導(dǎo)體成立全球首家針對電動汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計中心

　　下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放

　　2022年1月14日，北京——氮化鎵(GaN)功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者Navitas Semiconductor（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布開設(shè)新的電動汽車(EV)設(shè)計中心，進(jìn)一步擴(kuò)展到更高功率的氮化鎵市場。與傳統(tǒng)的硅解決方案相比，基于氮化鎵的車載充電器(OBC)的充電速度估計快3倍，節(jié)能高達(dá)70%。據(jù)估計，氮化鎵OBC、DC-DC轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器將有望延長電動汽車?yán)m(xù)航里程，或?qū)㈦姵爻杀窘档?%，和原先使用硅芯片相比，氮化鎵功率芯片有望加速全球EV的普及提前三年來到。據(jù)估計，到2050年，將電動汽車升級到使用GaN之后，道路部門的二氧化碳排放量每年有望減少20%，這也是《巴黎協(xié)定》的減排目標(biāo)。

　　

　　氮化鎵(GaN)器件是功率半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，其運行速度比傳統(tǒng)硅芯片快20倍。Navitas的GaNFast™功率芯片集成了GaN電源、GaN驅(qū)動、保護(hù)和控制。高速和高效率已成為節(jié)能、高功率密度、低成本和更高可靠性的新行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

　　新的設(shè)計中心位于中國上海，擁有一支經(jīng)驗豐富的世界級電力系統(tǒng)設(shè)計師團(tuán)隊，他們在電氣、熱力和機(jī)械設(shè)計、軟件開發(fā)以及完整的仿真和原型設(shè)計能力方面具有全面的能力。新團(tuán)隊將在全球范圍內(nèi)為電動汽車客戶提供支持，從概念到原型，再到全面認(rèn)證和大規(guī)模生產(chǎn)。

　　著名電動汽車行業(yè)專家、上海設(shè)計中心新任高級總監(jiān)孫浩先生表示：“設(shè)計中心將為全功能、可產(chǎn)品化的電動汽車動力系統(tǒng)開發(fā)原理圖、布局和固件。Navitas將與OBC、DC-DC和牽引系統(tǒng)公司合作，創(chuàng)建具有最高功率密度和最高效率的創(chuàng)新世界級解決方案，以推動GaN進(jìn)入主流電動汽車。”

　　為EV應(yīng)用量身定制的高功率650V GaN IC已于2021年12月向EV客戶提供樣品。在最近的小米產(chǎn)投日活動上，納微展示了6.6kW OBC概念模型，后在CES上也進(jìn)行了展示。

　　“納微半導(dǎo)體電動汽車團(tuán)隊在提供動力系統(tǒng)方面擁有豐富的人才和成熟的經(jīng)​​驗，”納微半導(dǎo)體副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理查瑩杰表示。“對于GaN來說，電動汽車是一個令人興奮的擴(kuò)展市場，估計每輛EV內(nèi)，氮化鎵的潛在價值為250美元。逐個市場來看，Navitas正在快速推進(jìn)到更高功率的應(yīng)用，例如電動汽車、數(shù)據(jù)中心和太陽能。”

　　制造氮化鎵功率芯片的二氧化碳排放量比硅芯片低10倍。考慮到效率以及材料尺寸和重量優(yōu)勢，每個出貨的納微氮化鎵功率芯片相比硅可以節(jié)省大約4公斤的二氧化碳。總體而言，到2050年GaN有望解決每年2.6 Gton的二氧化碳排放量減少問題。