英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進一步提高系統能效

　　【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）發布了一項全新的CoolSiC技術，即CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝，具有非常廣泛的產品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統和其他工業應用的理想選擇。

　　CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時，隨著柵極運行窗口的擴大，柵極能很好地耐受與驅動器和布局相關的電壓峰值，即使在更高開關頻率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技術，還可通過采用不同封裝使不同型號的產品實現更高功率密度，為設計工程師提供更多選擇，助力其提升應用性能。

　　Easy模塊可實現更高的功率密度

　　M1H將被集成到備受青睞的Easy系列中，以進一步優化Easy 1B和2B模塊。此外，英飛凌還將推出一款新產品，利用全新的1200 V CoolSiCTM MOSFET技術和增強Easy 3B模塊。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了靈活性，適用于廣泛的工業產品組合。采用M1H芯片，可顯著降低模塊的導通電阻，讓設備更加可靠和高效。

　　CoolSiC^TM MOSFET 1200V Easy 3B

　　此外，M1H芯片的最高結溫為175°C，具備更出色的過載能力，可實現更高的功率密度，同時擴展了系統安全工作區。與其前身M1芯片相比，M1H芯片實現了更低的內部柵極電阻（RG），這有利于輕松優化開關特性。M1H芯片保持了其動態特性。

　　具備超低導通電阻的分立式封裝

　　除了集成Easy模塊系列之外，CoolSiCTM MOSFET 1200 V M1H產品組合還采用了TO247-3和TO247-4分立式封裝，導通電阻值極低，根據不同的型號分為7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。這些新器件的最大柵源電壓低至-10 V，改善了柵極電壓過沖和下沖，并且實現了良好的抗雪崩擊穿能力和短路耐受能力，可以輕松用于產品設計。

　　CoolSiC^TM MOSFET 1200V TO247-3和TO247-4

　　以前在D2PAK-7L封裝中引入的英飛凌.XT互連技術，現在也可在TO封裝中實現。較之標準互連技術，其散熱能力提高了30%以上。這樣的散熱性能提升帶來了極大的裨益，可以將輸出功率提高多達15%。另外，它還能提高開關頻率，進一步減少諸如電動汽車（EV）充電、儲能或光伏系統等應用中所需的無源器件，從而提高功率密度并降低系統成本。.XT互連技術可降低SiC MOSFET結溫，而不改變系統運行條件，因此大大延長了系統的使用壽命，提高了功率循環能力。這也是伺服驅動器等設備的關鍵要求。

　　新推出的1200 V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片將進一步釋放SiC技術的應用潛力，在全球范圍內推動清潔能源的開發利用，并提高能源效率。