意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效

　　2022年5月18日，中國–意法半導(dǎo)體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機的開關(guān)式電源(SMPS)。

　　首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導(dǎo)通電阻(RDS(on)max)都處于同類領(lǐng)先水平，STP65N045M9為45mΩ，STP60N043DM9為43mΩ。由于柵極電荷(Qg)非常低，在400V漏極電壓時通常為80nC，兩款器件都具有目前市場上一流的RDS(on)max x Qg品質(zhì)因數(shù)(FoM)。

　　STP65N045M9的柵極閾壓(VGS(th))典型值為3.7V，STP60N043DM9的典型值為4.0V，與上一代的MDmesh M5和M6/DM6相比，可極大程度地降低通斷開關(guān)損耗。MDmesh M9和DM9系列的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和反向恢復(fù)時間(trr)也都非常低，這有助于進一步提高能效和開關(guān)性能。

　　意法半導(dǎo)體最新的高壓MDmesh技術(shù)的另一個特點是增加了一道鉑擴散工藝，確保本征體二極管開關(guān)速度快。該二極管恢復(fù)斜率(dv/dt)峰值高于早期工藝。MDmesh DM9全系產(chǎn)品具有非常高的魯棒性，在400V電壓時可耐受高達120V/ns的dv/dt斜率。

　　意法半導(dǎo)體的新MDmesh M9和DM9產(chǎn)品STP65N045M9和STP60N043DM9均采用TO-220功率封裝，現(xiàn)已投產(chǎn)，2022年第二季度末代理商開始鋪貨銷售。2022年底前還將增加標(biāo)準(zhǔn)的貼裝和通孔封裝。