GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動開關評估板在貿(mào)澤開售

　　2022年6月14日–提供超豐富半導體和電子元器件™的業(yè)界知名新品引入(NPI)分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics,Inc.)即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動開關評估板。這種緊湊的氮化鎵(GaN)增強模式(e-mode)半橋評估板性能優(yōu)異，同時減少了組件總數(shù)，節(jié)省了寶貴的電路板空間。

　　貿(mào)澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動器和兩個半橋配置的650 V、60 A GaN增強模式晶體管。HEY1011是一款隔離式柵極驅(qū)動器，專為驅(qū)動具有快速傳播延遲和高峰值拉/灌能力的GaN FET進行了優(yōu)化，適用于需要隔離、電平移位或接地隔離以實現(xiàn)抗噪性的高頻應用。由于HEY1011驅(qū)動器不需要二次側電源或自舉組件，因此釋放了寶貴的板空間，使設計更具成本效益。

　　為了幫助緩解柵漏電容電流的影響，GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了雙極柵驅(qū)動裝置。該板可以執(zhí)行雙脈沖測試或?qū)�半橋連接到現(xiàn)有LC電源段。雙脈沖測試可用于安全地評估硬開關條件下電源開關的特性。

　　GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動開關評估板適合用于開發(fā)大功率無線充電器、工業(yè)逆變器、電機驅(qū)動/VFD、數(shù)據(jù)中心、住宅儲能系統(tǒng)以及其他電力電子應用。