意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節(jié)能降噪特性

　　2022年6月23日，中國–意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。

　　新型40V N溝道增強型MOSFET利用最新一代STPOWER STripFET F8氧化物填充溝槽技術(shù)實現(xiàn)卓越的品質(zhì)因數(shù)。在柵源電壓(VGS)為10V時，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG的最大導(dǎo)通電阻(Rds(on))分別為0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節(jié)省空間且熱效率高的PowerFLAT 5x6封裝。

　　意法半導(dǎo)體先進的STripFET F8技術(shù)的開關(guān)速度十分出色，低芯片電容可以最大限度地降低柵漏電荷等動態(tài)參數(shù)，提高系統(tǒng)能效。設(shè)計人員可以在600kHz至1MHz范圍內(nèi)選擇開關(guān)頻率，允許使用尺寸更小的電容和磁性元件，節(jié)省電路尺寸和物料清單成本，提高終端應(yīng)用的功率密度。

　　適當(dāng)?shù)妮敵鲭娙莺拖嚓P(guān)的等效串聯(lián)電阻可防止漏源電壓出現(xiàn)尖峰，并確保在管子關(guān)斷時突降振蕩時間更短。憑借這一點和體二極管的軟恢復(fù)特性，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG發(fā)出的電磁干擾(EMI)低于市場上其他類似器件。此外，體寄生二極管的反向恢復(fù)電荷很小，可最大限度地減少硬開關(guān)拓撲的能量損耗。

　　柵極閾壓(VGS(th))在STL320N4LF8和STL325N4LF8AG中受到嚴(yán)格控制，以確保器件之間的閾壓差異很小，以便并聯(lián)多個MOSFET功率管，處理更大的電流。短路耐受能力也非常出色，可承受高達1000A的電流(脈沖短于10µs)。STL320N4LF8和STL325N4LF8AG分別是第一款符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)的STPOWER STripFET F8 MOSFET器件，是電池供電產(chǎn)品和計算、電信、照明和通用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

　　STL320N4LF8和STL325N4LF8AG現(xiàn)已量產(chǎn)。