東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第3代SiC MOSFET

　　東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。

　　

　　新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約20%[5]，同時(shí)降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設(shè)備效率。

　　東芝將進(jìn)一步壯大其功率器件產(chǎn)品線，強(qiáng)化生產(chǎn)設(shè)施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實(shí)現(xiàn)碳中和經(jīng)濟(jì)。

　　應(yīng)用：

　　-開關(guān)電源（服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等）

　　-電動(dòng)汽車充電站

　　-光伏變頻器

　　-不間斷電源（UPS）

　　特性：

　　-單位面積導(dǎo)通電阻低（RDS(ON)A）

　　-低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）

　　-低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）VGS＝-5V

　　主要規(guī)格：

　　（除非另有說明，Ta＝25℃）

　　注：

　　[1]通過采用為第二代SiC MOSFET開發(fā)的內(nèi)置肖特基勢(shì)壘二極管的架構(gòu)，東芝開發(fā)出一種可降低單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A），同時(shí)降低JFET區(qū)域反饋電容的器件架構(gòu)。

　　[2]MOSFET：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

　　[3]當(dāng)?shù)诙�代SiC MOSFET的RDS(ON)A被設(shè)為1時(shí)，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。

　　[4]當(dāng)?shù)诙�代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設(shè)為1時(shí)，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。

　　[5]新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。